基于紫外光刻的双轴张应变Ge/SiGe多量子阱电吸收调制器北大核心CSCD

采用紫外光刻工艺(ultraviolet lithography technique,UVL),在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)兼容的硅基平台上制作了基于悬空微桥结构在Ge/SiGe多量子阱材料中引入双轴张应变的低偏振相关电吸收调制器。利用拉曼光谱测试了器件引入双轴张应变的大小,并对器件在横电(transverse electric,TE)偏振和横磁(transverse magnetic,TM)偏振下的光电流响应、调制消光比和高频响应等性能进行了测试。器件的低偏振相关消光比在0 V/4 V工作电压下可达5.8 dB,3 dB调制带宽在4 V反向偏置电压时为8.3 GHz。与电子束光刻工艺(electron beam lithography technique,EBL)相比,采用UVL制作的器件在调制消光比、高频响应带宽等性能上略差一点,但具有曝光时间短、成本低和可大批量生产等优势,应用前景广阔。     

二维磁性光量子阱对共振隧穿光谱特性的影响

基于非磁性材料开腔光量子阱结构设计了非磁性闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱结构。用时域有限差分法(FDTD)计算了这三种量子阱结构的透射谱和光场分布,研究了各量子阱中的量子化能态,论证了完全依靠自身结构在很大程度上增强透射光谱强度的可行性。研究发现,光子隧穿磁性光量子阱结构时透射率接近1,能量损失小;与非磁性闭腔光量子阱结构相比,能够减小器件体积,增加能带工程的自由调节度,获得更加丰富的光子束缚态,因而更具优越性。计算结果表明,开腔光量子阱为行波阱,这种阱俘获光子的能力较弱;闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱均为驻波阱,局域光子的能力很强,且磁性材料光量子阱可以产生更大的光场梯度。     

基于半导体光放大器交叉增益调制的波长转换的理论分析

本文利用小信号理论模型分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的波长转换 ,获得了波长转换效率的解析表达式。结果表明 ,波长转换的频带响应宽度受到光放大器驱动电流、波导中的光功率以及转换波长的影响。     

140 Mbit/s全光波长转换的实验研究

对基于半导体光放大器交叉增益调制的波长转换进行了实验研究。实现了速率为１４０Ｍｂｉｔ／ｓ 信号的１．３１５２ μｍ 和１．３０１４ μｍ 间的波长转换。并对实验结果作了解释     

基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论分析

建立了基于半导体光放大器交叉增益饱和的波长转换的理论模型。分别讨论了小信号下波长转换特性和大信号下转换波形的畸变情况。结果表明,半导体光放大器的载流子寿命是导致输出波形畸变的主要因素。     

交叉增益调制型全光波长转换器频响特性的小信号分析

对基于半导体光放大器交叉增益调制型全光波长转换器的频响特性作了理论分析,并获得了反映注入光参数对波长转换频响特性影响的解析表达式．数值结果表明,波长转换的频率响应带宽依赖于光放大器驱动电流、注入光波导的光功率以及转换波长间隔     

拉曼泵浦光源退偏技术研究

文中利用琼斯(Jones)矩阵和斯托克斯参量分别对几种拉曼泵浦光源退偏方式进行了理论分析,并对实际的激光器光谱进行了偏振度的数值计算.在采用基于偏振合光(PBC)的方法进行退偏时,只有当两激光器的光功率相同时才可以得到最小的偏振度;在采用偏振合光加双折射晶体退偏(PBCD)时,计算表明,随着晶体长度的变化,偏振合波后的偏振度总小于单只激光器通过晶体后的偏振度,因此晶体长度的设计应为使单只激光器退偏所要求的晶体长度,这样可保证不同泵浦情况下的偏振度.文中的设计方法和结论对拉曼放大器的泵浦光源退偏设计具有一定参考作用.     

基于BIM的电力盾构隧道地层损失量实时监测

隧道周边沉降直接危害地表建筑物的正常使用和安全,其直接原因是盾构过程中产生的地层损失。然而,隧道在施工过程中无法直接测量地层损失量。一旦监测到较大沉降,隧道已经发生破坏。为了克服上述现有技术的难度,依托南京秋藤—山江220 kV线路工程,提出了一种基于建筑信息模型技术对隧道地层损失量实时监测的方法,为施工管理提供更为直接的物理指标,为隧道周边安全提供了直接保障。     

导线特性曲线和安装曲线的绘制程序

介绍了利用ＣＡＤ的Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ技术编制的导线特性曲线、安装曲线的绘制程序。该程序使得在线路设计工程中特性曲线、安装曲线绘制实现了自动化。     

光通信领域的自主创新与标准化建设

国际标准制定的过程,实际上是各国研究、技术、应用成果（或产品）直接交锋的平台,只有具有一定的研究背景、技术力量、应用成果,才能得到国际上的重视与认可,才能占有主动权。哪国走在前面,哪国就有优先权。在知识经济和信息化时代,标准已经成为占领市场,引导产业发展和保护自己的重要手段。国家标准委十一五初,提出标准化自主创新的12项措施,旨在用10年左右的时间跨越我国与发达国家标准化工作约30年的差距。到2010年,努力使我国标准化总体水平达到中等发达国家水平;再经过5年左右的努力,使我国标准化总体水平达到国际先进水平,重点领域的技术标准达到国际领先水平。