基于嵌入式微处理器S3C44B0X的USB通信

基于ARM7内核S3C44B0X微处理器和USB接口芯片PDIUSBD12,详细设计了S3C44B0X与芯片PDIUSBD12的连接方法,搭建了以二者为基础的嵌入式工作平台.基于此工作平台,实现了以微处理器S3C44B0X为核心的嵌入式系统中扩展USB接口,并给出了具体实现程序.     

基于DSP的全方位移动平台无线遥控系统

以全方位移动平台为研究对象,针对移动平台的全向运动控制,基于TI公司的TMS320F2812和无线数传模块设计了无线遥控系统;该系统将数据采集程序、通信协议和纠错编码算法集成在高速DSP系统上,具有信道选择灵活、接口标准、易维护的优点;并且对遥控通信系统的硬件和软件进行了设计,构建了适合于移动平台的可靠通信协议;最后进行了传输距离和响应时间试验,试验结果是无线遥控系统的稳定传输距离可达100m,发射端和接收端的响应时间分别小于20ms和80ms,数据传输错误率低于0.003%且可完成数据的及时更新;试验结果表明该系统的响应时间短,数据传输稳定,可以完成对移动平台的实时全向运动姿态的操控。     

基于LMD的PWM整流电路故障特征提取新方法

脉冲宽度调制(PWM)整流电路结构日益复杂,对其可靠运行提出了更高的要求;对局域均值分解(LMD)用于PWM整流电路的故障特征提取进行研究,提出一种基于LMD和加权频带能量法的特征提取新方法;该方法通过逐步抽取调频调幅成分将故障信号在频域上展开,然后基于信号能量的频带分布特点,充分考虑各频带成分与故障的相关性,构造故障特征向量,实现特征提取;最后以PWM整流电路为例进行仿真,相电压380V,仿真时间0.5s,0.1s时注入故障;结果表明,该方法能有效地提取故障信号的特征,并降低特征向量的维数。     

蓄能电站爬坡效益定量评估方法

蓄能电站在应付负荷急剧爬升阶段所体现出的经济性和可靠性效益称为爬坡效 益。本文首次提出了定量评估该项效益的一种解析模型和相应的算法，文中详 细阐述了该模型的内容和程序实现问题，并给出了一个实例分析。结果证明该 模型是合理的。 该模型和算法亦可用于常规水电站的爬坡效益评估。     

一种新型的高效率RF-DC整流器设计

设计了一款能产生高输出电压的新型交叉耦合RF-DC整流器。为了最大化输出电压,该整流器在每个充电路径中仅经过一个MOS开关管,降低了串联损耗。采用SMIC 0.18 μm双阱CMOS工艺仿真模型模拟,在输入射频功率-13.52 dBm时,输出电压为1.66 V,转换效率达62%。     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.     

一种低电压3阶4位前馈Σ-Δ调制器

介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环Σ-Δ调制器。为了降低Σ-Δ调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果显示,当工作电压为1.2 V、采样频率为64 MHz、过采样比为16、信号带宽为2 MHz时,电路的SNDR达81 dB,功耗仅为7.78 mW。     

基于TCAD的45 nm CMOS器件温度特性模拟

基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45 nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45 nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文件对比表明,在25 ℃~127 ℃范围内,45 nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性。     

一种用于VCO供电的低噪声LDO

设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为－70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为－47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为－27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。