BPSK、QPSK、OQPSK、UQPSK信号识别研究

采用提取信号相位并用直方图统计的方法对BPSK、QPSK、OQPSK、UQPSK信号进行识别,并分析不同噪声背景下对这四种信号识别的影响。仿真结果表明在满足一定信噪比的条件下,能够完成对这四种调相信号的识别。     

一种新的多用户多速率自适应MC-DS-CDMA传输方案

从有效利用网络资源的角度出发,结合OFDMA的动态资源分配策略,提出了一种灵活支持多用户多速率业务的改进MC-DS-CDMA传输方案--自适应MC-DS-CDMA系统。仿真结果表明,自适应MC-DS-CDMA系统由于采用了多用户自适应的子载波分配策略,不仅可灵活支持多速率业务,而且能降低系统的发射总功率,进一步改善了系统性能。     

汾河二坝灌区引洪灌溉分析

本文对汾河二坝灌区作物生长缺水现状和二坝水文站以上可利用的洪水资源进行了统计。认为二坝以上每年来洪是解决灌区农作物受旱的水源之一。调查分析了灌区历年来的引洪量、引洪特点、经验和教训。对今后引洪中可能存在的问题及其它工程进行了分析并提出了建议。     

GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.     

基于单片机的数字频率计的设计和仿真

本文以单片机为核心器件,实现了数字频率计的设计,并在Proteus软件仿真环境下搭建仿真电路,采用Kell软件进行软硬联调,成功地实现了数字频率计的仿真。     

部分填充各向异性介质的圆柱形波导中混合模特性研究

本文首先引入一种新型双向向异性波导结构；给出了这类复杂波导中横向场分量的纵向场表示式以及纵向场分量满足的一组耦合模方程；重点分析了具有不同电磁参数的双各向异性介质中心加载时，金属圆柱形波导中混合模的分裂效应，色散特性和场分布。结果表明，由于多个电磁参数的引入，双各向异性波具有一般各向异性和双各向同性波导结构所没有的新奇特性。     

复合静电驱动结构致动的内旋转微镜

报道了以体硅表面硅混合微加工工艺制作在SOI衬底上的一种新型复合静电驱动结构致动内旋转微镜,其中复合静电驱动结构由一个平板驱动器和一个垂直梳齿驱动器构成.实验表明,该新型驱动结构不仅能使微镜实现大范围连续旋转,而且能使微镜实现吸合效应致自发性90°旋转.微镜的连续旋转范围扩大到约46°,同时引发吸合效应的拐点电压也增大.对于具有1和0.5μm厚扭转弹性梁的微镜,实测拐点电压分别为390～410V和140～160V.当该微镜用作光开关时,测得光插入损耗为～1.98dB.     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

MIMO-OFDM系统空间分集定时同步算法

根据MIMO-OFDM系统无线传输信道的特性,提出了基于单个前导子符号的MIMO-OFDM系统空间分集定时同步算法,以克服高速无线多径信道中深衰落对MIMO-OFDM系统定时同步性能的影响,应用概率论推导出MIMO-OFDM系统空间分集算法的定时错误概率分布和概率密度数学表达式,并给出了MIMO-OFDM系统在无线多径信道中帧定时同步的仿真结果.     

C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关

基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5～7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.