STUDY OF POSITRON ANNIHILATION ONE DIMENSION ANGULAR-CORRELATION RADIATION ON POLYCRYSTAL Na~+ CONDUCTOR Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)

With positron annihilation radiation onedimension angular-correlation device,it ismeasured that positron annihilation radiationone dimension angular-correlation curves ofpolycrystal sodium ion conductor Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)(NYCS)system.After electronmomentum distribution curves arenormalized,linear parameters arecalculated.The parameters H,W and Sshow the change of Na~+ ion vacancyconcentration in NYCS series samples.Theresults show that parameters H,W and S ofone dimension angular-correlation curves ofthose samples vary greatly with Cr_2O_3contents.With Cr_2O_3 content increasing,Hand S parameters increase,but W decreases,and reaches extremes at x=0.05;then withCr_20_3 adding continually,parameters H andS decrease gradually,parameter W increasesgradually.This shows that,in addtion toCr_2O_3,the conductivity has close relation     

LiH—LiF—P2O5系非晶态快离子导体的电性能与核磁共振研究

测试了LiH-LiF-P_2O_5系非晶态快离子导体材料的交流电导率;分析了样品的交流阻抗谱并确定了对应的等效电路。同时采用~7LiNMR和~1HNMR方法讨论了材料中Li~+离子的迁移行为和H~-离子的结构状态。     

掺杂V_2O_3系PTC陶瓷中金属相的研究

报导在掺杂Ｖ＿２Ｏ＿３系ＰＴＣ陶瓷中引入Ｆｅ金属相，采用ＸＲＤ，ＳＥＭ分析技术确定Ｆｅ金属相在材料中的结构状态，并结合材料ＰＴＣ性能测试结果讨论了Ｆｅ金属相对材料烧结性能和ＰＴＣ性能的影响。     

从振动角度探讨浮法玻璃小波纹的形成

当前对小波纹产生的原因,有几种不同的看法,如认为玻璃带横向温差的影响、拉引速度的影响、锡槽内气流的影响、振动的影响等等。我们希望有不同看法的同志,在生产实践基础上,积极开展学术讨论,通过理论与实践相结合,从各个方面进行探讨,以期促进生产技术问题的解决。     

跨世纪新型功能建筑装饰材料的发展战略设想

笔者论述了跨世纪新型功能建筑装饰材料的要求、发展条件及国内开发研究的必要性和紧迫性;阐明了跨世纪新型功能建筑装饰材料的发展战略、发展主题,列出了一些具体的跨世纪新型功能建筑装饰材料,并指出了我国发展功能建筑装饰材料工业、赶超世界先进水平的措施。     

STRUCTURE AND PROPERTY OF PIEZOELECTRIC CERAMICS OF QUATERNARY SYSTEM

Composite perovskite piezoelectric ceramicsof PMMN quaternary system were prepared by cold-pressingand solid-phase sintering.Piezoelectric modulus and densityof the samples were measured after polarization.X-raydiffraction analysis and SEM were used to prove the resultthat the major phase of the piezoelectric ceramic spectimenbased on PZT is PZT phase,which is tetragonal system andP_(4mm) space group.     

PZT及掺La^3＋,Nb^5＋PZT的性能初探和态密度计算

用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ＾３＋，Ｎｂ＾５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ，ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能，从理论上阐述了掺杂Ｌａ＾３＋，Ｎｂ＾５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响，用量子化学计算方法计算了样品的电子态密度，并将计算结果与ＸＰＳ测试结果作比较。     

半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物 P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和 N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K     

PSN,PSLN压电陶瓷结构与介电性能研究

通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。