中波发射天线的革命性变革--谈开放式谐振腔中波小型天线的研制

1概述 多年来,我国的中波广播发射天线一直延用λ/4～λ/2的拉线式或自立式铁塔天线,由于这种天线需要以大地作为回路,同时为了减小地损,不但塔体需要做得很高,尤其需要敷埋大面积的地网.     

微型投影系统光路设计

为了改善传统的数字光处理投影系统（DLP）体积较大、结构复杂、成本较高、对光源的利用效率较低的问题,采用一种基于单颗三色发光二极管作为照明光源,单颗透镜形成平行光的新型DLP投影光路结构的方法,对传统光路进行了改进与优化。无需传统光路中的色轮,透镜直接实现了传统投影光路中聚光和匀光的复杂结构,并利用TRACEPRO软件进行建模,通过光线追迹对该投影光路进行了光学分析。结果表明,整个光学系统的体积控制在76.8mm×32.2mm×25mm,光能利用率达到了60.1%,光斑均匀性达到了96.6%,屏幕表面的光通量为21.7lm。该研究减小了投影光路体积,简化了光学结构,提高了光能利用率。     

微波站防雷技术问题的探讨

葫芦岛微波总站针对当前电子设备防雷工作存在的问题,结合目前广泛使用的浪涌保护器、压敏电阻器等防雷元器件的技术参数、选择方法进行探讨、实践,认为浪涌保护器多级保护中保护电压值应逐级递减、最后一级的保护电压值应不超过交流250伏;浪涌保护器接保护地线端应改接到零线;提出了浪涌保护器等防雷器件自身过度保护的问题;提出了利用压敏电阻器进一步限制电源过电压的原则和方法 ;在信号传输天馈系统使用压敏电阻器进行防雷保护。配合其它的综合防雷措施,取得了很好的效果,提高了电子设备的抗雷击性能。     

Eu2+掺杂Sr5(PO4)2SiO4磷灰石荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法制备了Sr5－x (PO₄)₂SiO₄:xEu²⁺(x =0.010,0.015,0.020,0.025,0.050, 0.100)荧光粉,研究掺杂 浓度和测试温度对荧光粉发光性能的影响。随着Eu²⁺掺杂浓度的增加,发射强度呈现 先增大后减小的变化 趋势,并在x=0.015时达到最大值。Eu 2+掺杂浓度较低时(x≤0.025),Eu²⁺取代不同格位的 Sr²⁺,使得发射 光谱具有双发射峰;当x＞0.025时,由于 存在Eu 1到Eu 2的能量传递使发射光谱中Eu 1的峰位消失,只存 在Eu 2的峰位。发射光谱随Eu²⁺浓度增大出现了红移现象,这是由于半径较小的Eu 2+(0.109nm)取代较 大的Sr²⁺(0.113nm)使得晶胞收缩,晶场强度增大,从而导 致Eu²⁺的5d能级劈裂程度增大,电子跃迁释 放能量降低。此外,测试温度增加时,发射光谱出现与Varshini方程不相符的蓝移现象,这 是晶格结构稳定性和声子辅助隧穿效应共同作用使较小波长的Eu 1的发射居于主导地位的结 果。     

JEM-1200EX透射电镜照相系统故障分析

本文讨论了JEM-1200EX透射电镜拍片过程并对所发生的故障进行了分析。显然,这对于准确及时地排除同类型电镜故障是有益的,对于排除其它类型电镜故障也有参考价值。本文所用符号参见JEM-1200EX透射电镜电路图第17～20页。JEM-1200EX透射电镜拍片程序JEM-1200EX透射电镜拍片过程包括三个程序。第一是取片程序。当第一次按PHOTO键后,微机CPU接受终端取片请求,发指令给继电器Ry1供电。Ry1结点闭合,使传送底片马达M1供电,传动机构齿轮联动,机械手移至供片盒,并从中取出底片送至荧光屏下曝光位置。与此同时,底片到位开关S1和要求马达…     

CO2激光治疗前庭大腺脓肿及囊肿的观察

1　资料及方法1 1　一般资料全部病例均为 1995年 7月至 2 0 0 0年 12月在我科门诊病人。前庭大腺脓肿 2 6例 ,前庭大腺囊肿 4 0例 ,年龄 2 6～ 5 7岁 ,病程 1周～ 10年。手术时机 :急性前庭大腺炎 ,已形成脓肿 ;前庭大腺囊肿在 2ｃｍ以上。1 2　治疗方法调试好ＣＯ2 激光器 :输出功率 2 0Ｗ ,切割时光斑 0 3ｍｍ。凝固汽化时光斑直径 3 0ｍｍ。患才截石位于手术台上 ,外阴常规消毒 ,铺无菌单 ,用 2 %利多卡因局部浸润麻醉 ,选择切口在小阴唇内侧的皮肤粘膜交界处 ,将调试好的激光聚集刀 ,由肿物的上极至下极充分切开至脓肿或囊肿壁 ,充分…     

移动增值业务安全框架研究

分别介绍了3GPP与OMA在移动增值业务安全框架方面的研究,包括3GPPGAA的框架、内容、业务流程以及OMASEC_CF的架构与基本流程,并给出了两者的关系与区别。     

项目管理的边界理论

本文根据项目管理理论和实践经验总结出：项目经理的大部分工作实际上是在管理各种各样的边界。在本文中,作者论述了管理边界的必要性以及管理边界的基本方法。     

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制

采用HWCVD技术在P型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅／晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数．室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域：旁路电阻（0～0．15V）、非理想二极管2（0．15～0．3V）、理想二极管1（0．3～0．5V）和串联电阻（〉0．5V）．拟合结果表明,适当的氖处理时间（～30s）可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性．对于282～335K的暗I—V温度特性的研究表明,在0．15～0．3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0．3～0．5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释．     

基于物联网的汽车防盗系统分析与设计

分析设计了一种基于物联网技术的汽车防盗系统,该系统使用有源双频电子标签以满足高速信息采集的需要,且耗能低;利用阅读器的地理位置对汽车进行跟踪定位;应用中间件技术消除数据冗余;以安全可靠的公安专网和无所不在的移动通信网为接入网,在保证防盗范围的同时降低了实现成本.