印刷电子:传统印刷行业的新机遇

<正>什么是印刷电子?印刷电子是将传统印刷方法用于制造电子元器件与电路,是印刷与电子的跨界融合。目前电子元器件与电路的制造方法是依赖光刻与腐蚀工艺,本质上是一种减材制造技术。印刷则是一种增材制造技术,即将功能材料添加到基材表面。传统印刷中,这些功能材料是黑色或彩色油墨。对于印刷电子,则是将功能电子油墨印刷到各种基材上。这些功能电子油墨可以是导电的、发光的、发电的、半导体的、传感的(温度、压力、湿度、气体等)。增材制造不再依赖基材本身的性质,可以在硬质材料如硅晶体、玻璃、陶瓷上     

一种求解电磁位差分方程组的快速收敛方法

本文根据电磁位差分方程组系数矩阵对角元素占优以及稀疏性的特点,将直接求解一维线性方程组的追赶法与迭代法相结合,发展了一种准直接法。该方法对计算机内存的要求小于直接法,而收敛速度快于连续超松驰迭代法,适用于计算各种静态电磁场的有限差分解。文中介绍了准直接法的基本原理与特点,并与连续超松弛方法进行了比较。     

用光致抗蚀剂作牺性层材料制作可动微机械

报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械,动件和固定件同时制作。同现有的牺牲层材料相比,光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先,光致抗蚀剂能直接涂敷,能直接光刻成形。此外,用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后,结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。     

专题片《粉墨丹青画水乡》的片头制作

专题片《粉墨丹青画水乡》是要表现江南水乡周庄的优美风景与安逸环境。制作技艺本期向您讲述如何综合运用Maya、Photoshop以及AfterEffects三种软件,设定片头水彩画变幻的效果。     

Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar

报道了用氟利昂ＣＨＦ３和氩气Ａｒ作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术，研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响，并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染，同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺，采用Ｒｓ１／Ｄｉｓｃｏｖｅｒ软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在１２０～１６０Ｗ范围，氩气和氟利昂流速分别在１５～３５ｓｃｍ和２０～５０ｓｃｃｍ范围，腔压在１００～１４０ｍＴｏｒ范围，相应的刻蚀速度为１５～２５ｎｍ／ｍｉｎ。     

一种计算液态金属离子源发射电流的新方法

本文详细分析了文献[2],[3]提出的计算液态金属离子源发射电流的“恒定总电流”方法,指出了该方法的不足之处,并在此基础上提出一种基于欠松弛迭代过程的新的计算方法。此方方充分反映了发射电流、表面电场与空间电荷效应之间的自洽关系,使发射电流的计算较为合理。文中介绍了新方法不同于“恒定总电流”方法的三个特点,并计算了液态金属离子源的电流电压特性。计算结果较以往文献的结果有新的改进。     

基于喷墨打印的In2 O3/IGZO TFT的电学性能

利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。     

用Maya8．0制作“星云锁链”（一）

很多朋友都看过动画片《圣斗士星矢》，其中阿瞬的星云锁链给我们留下了深刻的印象。而利用Maya8．0软件制作飞行的锁链就是我们这个教程所要教授给大家的。     

聚焦电子束离子束双束系统在材料科学与技术中的应用

聚焦电子束离子束双束系统由于其电子束与离子束同存于一个腔体内,可以使用电子束扫描直接了解欲加工样品的形貌并确定加工位置,转换至离子束便可以直接加工,所以在制备透射电镜样品、光子晶体、一维纳米材料电极等工艺上有不可取代的优异条件,成为微加工技术中不可或缺的重要设备.详细介绍了利用美国FEI公司的DB235系统制备透射电镜样品、光子晶体、一维纳米材料电极等新技术的工艺过程,并与其它一些相关的制备方法进行了比较.     

用CHF3/Ar为工作气体刻蚀融石英

报道了用氟利昂CHF₃和氩气Ar作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响,并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染,同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺,采用Rs1/Discover软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率范围在120～160W,氩气和氟利昂流速分别在15～35sccm(1cm³/min standard cubic centimeter/minute)和20～50sccm范围,腔压在13～19Pa范围,相应的刻蚀速度为15～25nm/min.