具有高线性调谐特性的1.2 GHz CMOS频率综合器

基于0.18 μm RF CMOS工艺实现了一个1.2 GHz高线性低噪声正交输出频率综合器,该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪声LC压控振荡器;降低了系统对锁相环中其他模块的要求;基于源极耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高速二分频,采用"与非"触发器结构实现了高速双模预分频,并集成了数控鉴频鉴相器和全差分电荷泵,获得了良好的频率综合器环路性能。对于1.21 GHz的本振信号,在100 kHz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-99.1 dBc/Hz和-123.48 dBc/Hz。该频率综合器具有从1.13~1.33 GHz的输出频率范围。工作电压1.8 V时,芯片整体功耗20.4 mW,芯片面积(1.5×1.25) mm2。     

蚁群算法用于VLSI布线的特性分析

本文重点在于研究在VLSI布线中采用蚁群算法的实用性和优越性。通过用MATLAB编程对蚁群算法和迷宫算法等算法的实现,得出蚁群算法在VLSI布线中的适用性不受布线结构的限制,而且在得出最优解方面有一定的优势。     

D/A转换器建立时间对输出信号质量的影响

考虑D／A转换器建立时间的影响，建立了D／A转换器输出信号波形的新的时域模型。在此基础上，以正弦信号的发生为例进行了频谱分析。发现了建立过程的平滑作用可以明显地削弱信号的谐波分量，并存在一个最佳转换频率，使谐波失真达到最小值。该结果为D/A信号发生器的优化设计提供了参考依据。     

GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.     

提高蓝牙广播性能的自适应分组选择策略

分析了蓝牙2.0+EDR新规范π/4-DQPSK与8DPSK调制方式在加性高斯白噪声信道(AWGN)下的比特错误率与平均接收信噪比的关系,推导了ACL数据分组的广播重传概率与平均接收信噪比的函数表达式,提出了蓝牙2.0+EDR广播数据分组在加性高斯白噪声信道下的自适应分组选择策略,即通过在不同的信噪比下选择不同的分组类型进行传输以得到最少的广播重传次数和最大的传输吞吐量。仿真结果为在不同信道条件下取得最好的广播效果提供了参考。     

集成双极晶体管基区表面电流的准二维模型及其参数的提取

考虑到少子准费米能级沿基区表面的非均匀分布,建立了集成双极晶体管基区表面电流的准二维模型。利用栅控晶体管作为测试结构,提取出了主要的基区表面参数。     

单电子晶体管I-V特性数值分析

在单电子晶体管的正统理论的基础上，建立了平稳条件下I-V特性的数值分析方法。应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I-V特性的影响，研究了隧道结构电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响，分析了单电子现象产生的条件。     

利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法

强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.     

蓝牙散射网的数据吞吐量分析

文中建立了散射网下数据分组相互干扰的分析模型,在此基础上得出了蓝牙散射网在进行ACL分组传输时的网络吞吐量。针对不同的跳频方式和网络是否全局时隙同步的四种情况对单一类型的分组发送成功率进行了具体的分析,并进一步得出采用混合分组时的网络最大吞吐量,并得出达到最大吞吐量是应当采用的最佳分组。     

光电耦合器电流传输比的噪声表征

光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.