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71.
针对常规扩频通信系统PN码资源受限的局限性,给出一种基于特定相位的同步码实现系统同步的双CPSK扩频传输方案.该方案采用正交两路CPSK扩频传递信息,采用的扩频码是由一条扩频码进行循环移位而获得的子码集合构成,同步由两路相同的扩频码在相关处理时产生的高值相关峰的识别实现.仿真结果表明该方案可以准确快速实现同步,同时具有较高的频谱利用率和较好的误码性能. 相似文献
72.
提出了一种改进的粒子群优化算法,并将其应用于集成电路布线,建立了相应的优化模型。对于给定的版图布线平面,该算法结合无网格算法的思路,首先由障碍图形和各个线网的端点生成一个包含最短路径的无网格访问点阵,然后根据粒子群算法的思路建立初始粒子位置矩阵,并利用其全局寻优功能找到当前布线路径上的最短路径. 相似文献
73.
单电子晶体管隧穿电阻的量子计算 总被引:2,自引:0,他引:2
单电子晶体管是一种新型量子器件,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管,这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应,但是,描述单电子晶体管I-V特性的正统理论却是一种唯象理论,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方式,文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发,推导基于微观参量表征的单件输运特性公式及隧道结电阻表示式,在此基础上,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法,计算结果与实验结果符合较好,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I-V特性的影响。 相似文献
74.
一种用于UHF RFID标签的高稳定度时钟电路 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种用于无源超高频射频识别标签芯片的时钟生成电路.在传统弛豫振荡器的基础上设置相位控制电容和相关校准电路,使输出时钟频率与工作电压和偏置电流不相关,抑制了电源的波动和偏差所引起的时钟抖动,保证了时钟频率的稳定性.同时,利用正负两种温度系数的电阻的温度补偿作用及相应的校准控制,实现了当温度在较大范围变化时时钟的周期稳定性.该电路在TSMC 0.18μm工艺下流片.测试结果显示,该方法可以获得更大的时钟校准范围和更高的输出时钟精度,电路功耗0.86μW,适合无源芯片的使用. 相似文献
75.
提出了一种适用于无源超高频射频识别(RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离。该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统电荷泵中的阈值损失,有效抑制了反向漏电流,提高了电荷泵的灵敏度和能量转换效率。该结构使用chartered 0.35 μm CMOS工艺进行流片验证,实测结果表明,在输入275 mV负载电阻200 kΩ情况下,电荷泵输出可达1.47 V,能量转换效率最高可达26.2%;采用该电荷泵的RFID标签识别距离最远可达4.2 m。该设计为RFID芯片的良好性能提供了可靠保证。 相似文献
76.
为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗,提出了一种低电源电压写入电路.该电路利用列选和读写隔离相结合的方法,减小了写入支路上的电阻,写入电源电压由1.8V降低为1.2V,写入功耗降低了近33 %.同时,该电路减小了读取电流对磁隧道结存储信息的干扰,可有效提高自旋转移力矩磁随机存储器的存储可靠性.利用65nm的磁隧道结器件模型和商用CMOS器件模型进行了电路仿真,仿真结果表明,低电源电压写入电路能有效降低自旋转移力矩磁随机存储器写入功耗,提高其可靠性. 相似文献
77.
设计了一种新的低压、高速、高线性度的双通道MOS开关栅压自举电路,该电路采用同时自举NMOS和PMOS的并行结构,不但降低了MOS开关的导通电阻值,同时在输入信号的全摆幅范围内实现了常数的导通电阻;考虑了器件可靠性要求且与标准的CMOS工艺技术兼容.采用0.13μm CMOS工艺和1.2V工作电压的仿真实验表明,提出开关的导通电阻在全摆幅输入信号范围内的变化量小于4.3%;在采样频率为100MHz,输入峰峰值为1V,输入频率为100MHz时,提出开关的总谐波失真达到-88.33dB,较之传统的NMOS自举开关以及标准的CMOS传输门开关,分别提高了约-14.8dB和-29dB.设计的开关可应用于低压、高速高精度的开关电容电路中. 相似文献
78.
设计了一种采用双压控振荡器的适用于超高频射频识别(UHF RFID)应用的温度传感器,可应用于环境温度检测以及物流链中.由于采用了两个结构完全相同的压控振荡器,可以抵消工艺偏差和电源电压变化等因素带来的影响,使输出仅和温度有关.采用了时分工作方式,使电路在检测完温度以后处于关断状态,有效地避免了重复计数的问题,并使该传感器完全不影响整体标签的工作距离.采用SMIC 0.18μm 2P4M EEPROM工艺进行流片,测试结果显示,标签读距离达到6m,写距离达到2.5m;在-40℃~+85℃温度范围内,温度测量精度为0.5℃,误差最大不超过±1.5℃. 相似文献
79.
提出了一种适用于可变增益放大器(VGA)的微功耗指数电流电路. 该电路结构简单, 以偏置在亚阈值区的MOSFET为核心器件, 并利用其漏源电流Ids与栅源电压Vgs呈指数关系的特性产生指数电流. 该电路从系统架构出发, 通过引入阈值监测电路, 控制电压转换电路及求和电路, 补偿了其阈值的工艺和温度偏差, 使该指数电流电路具有较好的工艺和温度偏差抑制能力. 基于TSMC 0.18μm标准的CMOS工艺平台验证表明: 该指数电流电路dB线性动态范围为30dB, 其线性误差为±0.41dB, 最低工作电压为0.9V, 功耗为11μW. 相似文献
80.