VLSI金属互连电迁移1/fγ噪声特性研究

通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/f^γ噪声的测量和分析,得到了1/f^γ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/f^γ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/f^γ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/f^γ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量.     

营造温馨氛围——家庭影院的照明设计

家庭影院对环境的基本要求是“黑、空、静”。“空”是指房间内除了必要的用品和座位外,其它的则尽量不予放置,这样在房间体积有限的情况下,可扩大房间的净空间,便于营造宏大的声场,也免得干扰观赏者的视线。“静”是指要尽量隔绝户外的各种声响或噪声的侵入,同时室内也     

令人耳目一新的高科技手表

<正> 数字化潮流真是势不可挡,连我们司空见惯的手表也不例外。世界著名电子钟表厂商日本卡西欧公司新近推出了四款全新创意的数字化手表产品,将MP3音乐播放机、数码相机、个人信息管理器和全球定位系统(GPS)分别融入手表那方寸之间,堪称世界之最！     

一种集成二进制权精确对数线性可编程增益放大器的卫星导航接收机数字自动增益控制环路

A novel digitally controlled automatic gain control(AGC) loop circuitry for the global navigation satellite system(GNSS) receiver chip is presented. The entire AGC loop contains a programmable gain amplifier(PGA),an AGC circuit and an analog-to-digital converter(ADC), which is implemented in a 0.18 m complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) process and measured. A binary-weighted approach is proposed in the PGA to achieve wide d B-linear gain control with small gain error. With binary-weighted cascaded amplifiers for coarse gain control, and parallel binary-weighted trans-conductance amplifier array for fine gain control, the PGA can provide a 64 dB dynamic range from4 to 60 dB in 1.14 dB gain steps with a less than 0.15 dB gain error. Based on the Gaussian noise statistic characteristic of the GNSS signal, a digital AGC circuit is also proposed with low area and fast settling. The feed-backward AGC loop occupies an area of 0.27 mm2 and settles within less than165 s while consuming an average current of 1.92 mA at 1.8 V.     

MOSFET抗辐照能力预测方法

基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移的情况.模型模拟结果与实际测量结果符合良好,验证了预测模型的正确性,并为工程应用提供MOSFET抗辐照能力预测方法.     

利用改进卡尔曼滤波算法抑制GPS接收机相位噪声

相位噪声是影响GPS接收机跟踪灵性能的主要因素之一.本文针对并行多通道GPS接收机,提出了一种相位噪声的抑制方法.由于多个通道的相位误差中均含有相位噪声,而其他噪声相互独立,因此可以通过改进卡尔曼滤波算法得到相位噪声的时域估计.通过相位补偿,有效地减小了每个通道的相位噪声,提高了接收机的抗干扰能力和跟踪灵敏度.最后本文给出了应用该算法的具体步骤,并通过仿真证明了该方法的有效性.     

单电子晶体管隧穿电阻的量子计算

单电子晶体管是一种新型量子器件，有可能代替当前集成电路中的硅晶体管，这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应，但是，描述单电子晶体管I-V特性的正统理论却是一种唯象理论，对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果，不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方式，文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单件输运特性公式及隧道结电阻表示式，在此基础上，研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法，计算结果与实验结果符合较好，可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I-V特性的影响。     

基于粒子群优化算法的集成电路无网格布线

提出了一种改进的粒子群优化算法,并将其应用于集成电路布线,建立了相应的优化模型。对于给定的版图布线平面,该算法结合无网格算法的思路,首先由障碍图形和各个线网的端点生成一个包含最短路径的无网格访问点阵,然后根据粒子群算法的思路建立初始粒子位置矩阵,并利用其全局寻优功能找到当前布线路径上的最短路径.     

一种基于高度并行结构的二维DCT/IDCT处理器设计

本文介绍一种适用于MPEG-4视频简单层(Simple Profile Layer1-3)压缩编码的二维88 DCT/IDCT处理器设计,该处理器设计充分利用DCT与IDCT的相似性及算法对称性,用高度的并行结构来加快处理速度,采用一维DCT/IDCT单元复用的方式来实现二维DCT/IDCT运算和简化的乘法器设计,在满足处理速度和精度要求的基础上,利用较少的晶体管数目实现了一种高性能二维DCT/IDCT处理器。     

电子器件可靠性的噪声表征方法

随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展，传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著，近年来得到的大量研究结果表明，对于大多数电子器件，噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映，噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点，正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具，本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。