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171.
500kV交流同塔四回线路的绕击耐雷性能 总被引:6,自引:2,他引:4
为解决架设500kV同塔四回输电线路高杆塔时的雷害问题,运用改进的电气几何模型法及电磁暂态仿真程序计算了杆塔的绕击耐雷性能,得出了不同杆塔呼称高度、地面倾角、杆塔保护角和击距系数等参数时的绕击跳闸率并且详细分析了地面倾角、杆塔高度等参数对绕击跳闸率的影响。最后提出了改善500kV同塔四回绕击耐雷性能的措施,即在实际工程中,从减小杆塔高度、避雷线采用负保护角、增加绝缘子片数以及尽量避免在地面倾角较大的地点架设输电线路等几个方面综合考虑。 相似文献
172.
以广西海堤加固为例,对比分析各种护坡结构的优缺点,提出在原有旧堤上加固,采用现浇砼混合护坡方案的可行性,指出其优点及推广价值. 相似文献
173.
174.
175.
176.
利用扫描电镜及金相分析 ,对浸泡在 pH值为 7.5~ 8的常温水中并承受交变载荷作用的 42CrMo钢注水泵泵体开裂原因进行了研究。结果表明 42CrMo钢在较低温度或两相区锻造 ,停锻后出现带状组织 ,该组织在热处理后依然存在。这种组织状态的 42CrMo钢工件在腐蚀介质及交变载荷的共同作用下极易形成应力腐蚀裂纹 ,且裂纹扩展速度较快 ,最后导致注水泵泵体早期失效。 相似文献
177.
178.
采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,
并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性
能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换
Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,
其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂
质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄
膜相近。 相似文献
179.
180.
机组进汽方式改变影响转子运行的位置,进而影响轴振和瓦温。通过改变机组调节汽门的开启方式,比较各种方式下瓦温和轴振的变化,确认机组在1号调门全关,2号调门全开,3、4号调门做调整时机组运行是最经济的,也是比较安全可靠的运行方式。 相似文献