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51.
通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60. 相似文献
52.
火焰原子吸收光谱法测定苋菜中8种矿物元素 总被引:5,自引:0,他引:5
用空气-乙炔火焰原子吸收光谱法对苋菜中钾、钙、镁、铁、锌、铜、锰、铅8种矿物元素进行了测定,对样品前处理方法、酸度、共存元素干扰及元素线性范围进行了实验。在选定的实验条件下,可以用火焰原子吸收光谱法对苋菜中8种元素进行分别测定,互不干扰。方法的相对标准偏差为0.08%~3.17%(n=5),加标回收率为91.5%~102%。 相似文献
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54.
以某矿4-2205孤岛工作面为研究对象,结合工作面采掘实际情况,采用理论分析、数值模拟等方法,分析该工作面冲击危险性的影响因素及煤柱失稳机理,研究孤岛工作面回采过程中的煤柱应力变化及其对冲击危险性的影响。研究表明,4-2205孤岛工作面回采过程中区段煤柱宽度逐渐减小,煤柱应力集中程度逐渐增加,破坏程度升高,煤柱逐渐由稳定状态向塑性不稳定状态变化,冲击危险性亦升高;4-2205工作面回采至相邻采空区切眼前后位置以及顶板初次来压、周期来压及工作面“见方”时,覆岩运移破坏严重。 相似文献
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60.
近年来,国内钢材供应紧张,钢模板价格过高,已使施工企业难以承受.并且钢模板存在重量大、板面小、接缝多、易生锈等缺点。竹胶板模板、钢竹模板与钢模板相比,具有重量轻、接缝少、脱模容易、不生锈、周转次数多、加工方便等特点。积极推广这两种新型模板可取得明显的经济效益和社会效益,“以竹代钢”具有广阔的发展前景。 相似文献