铜的电化学腐蚀过程的红外光谱电化学及量子化学方法研究

    设计了一种超薄层红外光谱电化学池,对铜电极的电化学腐蚀过程的现场监测表明,该电解池有较好的电化学性质和红外光谱响应性;铜电极在1.0 mol/L KCl溶液中的电化学腐蚀过程伴随铜的氯化物生成. 以量子化学方法（ab initio 和arguslab）计算软件对形成的化合物及其红外光谱进行了理论计算.结果表明,在KCl支持电解质水溶液中,铜氧化生成的铜（I）离子易与氯离子形成较稳定的三配位化合物,并获得了与实验结果一致的红外光谱.     

基于PSASP的压水堆核电站堆芯建模及仿真研究

利用PSASP软件的用户自定义模块功能搭建堆芯模型,分别对堆芯模型在反应性阶跃扰动和冷线温度阶跃扰动下的动态响应过程进行模拟仿真.仿真结果表明,堆芯由于温度效应和中毒效应而具有一定的自稳定性,与实际数据及理论分析吻合,证明该模型真实有效.     

天环坳陷南段中生界断裂特征及其石油地质意义

为探明天环坳陷南段中生界构造特征及其石油地质意义,采用钻井联合三维地震的人机交互式解释方案,分析了镇泾地区中生界断裂体系空间展布特征及其成因机制,明确了断裂对延长组油藏差异分布的影响作用,认为镇泾地区中生界压扭、张扭及转换断裂发育,断裂与砂体匹配共同决定了油气分布规律.研究结果表明:先存基底断裂间歇"隐性"活动导致中生...     

中国水-能源纽带关系双向消耗核算研究

针对经济社会发展中水与能源的消耗问题,从水资源开发利用过程中的能耗与能源生产过程中的水耗两个角度进行双向的定量分析,并采用双向核算法估算了全国主要能源产业生产现状总用水量与水资源利用的总耗能量,厘清了水与能源之间的纽带关系。研究结果表明：水与能源之间存在着环环相扣的关系;6类能源中火力发电耗水量最大,水力发电次之,其后分别为原煤、原油、天然气,太阳能发电耗水量最小,2016年中国主要能源生产过程中耗水量约占全国用水总量的3.14%;水资源利用过程中地表水取水总能耗最大,非常规水源利用总能耗较小,2016年中国水资源利用过程中的能耗约占全国能源消耗总量的2.44%。     

非线性多因素耦合事故致因模型的提出及应用

鉴于目前已有的事故致因模型存在致因因素简单罗列叠加、未考虑因素间耦合效应、无法定量分析等不足,提出了一种新型的非线性多因素耦合事故致因模型,并把模型应用于油库事故预防中.新模型提出了主要影响因素牵连影响系数、多因素耦合流变非线性损伤的计算公式,其最突出的特点是,在多种因素的耦合作用下,能够辨别复杂系统中主要影响因素的流...     

溴邻苯三酚红—氯化十六烷基吡啶分光光度法测定钢中钒

钒的测定国内外常用钽试剂萃取法,PAR法,M—肉桂酰—邻甲基羟胺萃取法,这些方法均采取萃取分离,条件要求较严。本文提出在pH=2时,用溴邻苯三酚 红(下称BPR)和CPC作显色剂,胶束增溶光度法测定钒的新方法。试验表明本法的灵敏度、稳定性和选择性均比上述方法为优。除钼、钛、铌等元素外,大部份离子不干扰测     

pH值对共沉淀法合成羟基磷灰石／壳聚糖复合粉体材料晶体形貌的影响

采用沸腾水浴共沉淀法,以尿素为pH调节剂制备了羟基磷灰石／壳聚糖（HA／CS）复合粉体材料,通过XRD、FTIR和SEM对晶体的组成、形貌进行了表征,考察了pH值对HA／CS晶体形貌的影响．结果表明,沸腾水浴共沉淀法可在较短时间内制备HA／CS复合粉体,改变pH值可使晶体形貌由针（杆）状与球状同时存在转变为几乎全部是球状晶体．     

C2-轴对称联苯类手性双膦配体的研究进展（三）

手性膦配体的合成及其在手性诱导催化反应中的应用一直是不对称合成与催化研究中非常重要的研究领域之一。近10年来,大量的C2-轴对称手性双膦配体被合成出来并成功地应用于不对称催化研究,本文从C2-轴对称联苯类手性双膦配体的介绍、合成方法、C2-轴对称联苯类手性双膦配体在不对称催化氢化、以及其在其他不对称诱导反应中的应用4个方面综述了相关研究进展,并对今后配体的合成及应用前景进行了展望。     

C2-轴对称联苯类手性双膦配体的研究进展（二）

手性膦配体的合成及其在手性诱导催化反应中的应用一直是不对称合成与催化研究中非常重要的研究领域之一。近十年来,大量的C2-轴对称手性双膦配体被合成出来并成功地应用于不对称催化研究,本文从C2-轴对称联苯类手性双膦配体的介绍、合成方法、C2-轴对称联苯类手性双膦配体在不对称催化氢化以及其在其他不对称诱导反应中的应用4个方面综述了相关研究进展。     

Ni纳米线阵列的电化学组装及磁性能研究

利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,通过恒电位沉积法在模板内组装了Ni纳米线阵列。采用SEM、TEM、SAED、EDS和VSM等检测技术对填孔过程、阵列形貌、结构和磁性能进行了分析和表征。结果表明,Ni纳米线在纳米孔中的生长过程经历四个阶段,填孔终止时间控制在第三阶段。适宜AAO模板中Ni纳米线沉积的电位为-0.9 V,pH为3.5。Ni纳米线是沿着(111)方向生长的单晶结构。当外磁场平行或垂直Ni纳米线阵列时,在磁场强度周期变化下,测量纳米线阵列磁滞现象的闭合磁化曲线,Ni纳米线阵列在平行和垂直两个方向的磁性不同,剩余磁化强度Mr与饱和磁化强度Ms之比分别为0.282和0.055,其矫顽力是293 Oe、100 Oe。