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41.
采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎. 相似文献
42.
43.
时间常数是一阶动态电路分析中的一个重要参数。而含运算放大器的一阶电路时间常数的计算又是学习中的难点。本文采用了经典法、外加电源计算和电路等效三种求解手段讨论含运算放大器的一阶电路时间常数的计算。并针对含运算放大器的一阶电路的三种基本情况,详细介绍了零电流支路开路和等电位点之间短路这两种电路等效手段的应用,展示了电路等效变换在求解此类问题时的便捷之处。 相似文献
44.
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比. 相似文献
45.
基于华润上华0.5 μm双极-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力.以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构.通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力.仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法. 相似文献
46.
47.
本文讨论了含独立电源T形电路和Π形电路的等效变换,总结了几个相关的结论并给出了证明。这些结论扩展了T形电路和Π形电路等效变换的内容。通过实例说明了这些结论的正确性。本文的分析对电路课程教学具有一定的价值,可供教学参考。 相似文献
48.
49.
50.
介绍了无人机电力巡检的应用背景,结合国内外的发展现状,提出一种新的无源定位技术——基于图像的输电线杆塔定位技术。给出了基于图像的定位算法,同时分析了误差来源。具有高精确度定位定向系统(POS)的航摄相机能够绘制大比例尺的地形图,绘制地形图的过程实际上是目标定位的过程。将配备有高精确度POS和高清摄像机的载机光电转塔用于无人机输电线路巡检,完成对目标杆塔的实时定位,定位精确度达到5 m。 相似文献