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用贝塞尔函数零值法测量频偏时,调频失真将给频偏测量带来误差,对第1—8个零值,已有与实验验证基本相符的计算结果。资料[1]指出:“在任何情况下,调制指数24被认为是本方法的实用范围”(即第8个根值是本方法实用范围),但到目前为止,尚未见到调频失真对第8个零值以上各点所测频偏带来的影响同实验验证基本相符的计算结果。本文介绍一种与实验验证结果基本相符的计算方 相似文献
23.
振荡器在增益达到予定标准时,对其调Q,可以大大提高输出能量的稳定度。本文还详细叙述了一种广泛应用的控制电路,可以将Nd:YAG振荡器的输出稳定度提高三倍。 相似文献
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扁桃斑鸠菊甲醇提取物对高粱糖化及酿造特性的影响前言在啤酒生产中,大麦是所使用的主要原材料,在尼日利亚,发芽及未发芽的高粱也被用于啤酒生产中。在尼日利亚的北方及部份南方地区高粱种植很广泛,是最适宜种植的用于生产啤酒的谷物。然而,高粱的主要问题之一就是微... 相似文献
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抖动测量仪是对录音机、电唱机、电影机、录像机等设备进行抖动测量的专用仪表。为确保收、录、放机的质量,抖动校准是一个重要的技术指标。通过对 DD3型抖动测量仪与 BE3型频偏测量仪的比较可看出,DD3只比 BE3少一级射频变频器部分,故它又是一个无变频级输入的低载频频偏测量仪。其抖动值 D 是频偏△f 值与一个预约定值3150Hz 相似文献
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采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%. 相似文献
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报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率. 相似文献
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报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率. 相似文献
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