汽轮机油含水量快速检测技术的研究

针对在研发动机用汽轮机油中水含量超标导致传动润滑系统润滑故障的问题,提出了一种基于红外光谱分析的快速检测技术。利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR),建立了汽轮机油含水量定量检测的工作曲线。通过对红外光谱数据的预处理,讨论了单点基线面积法和单点基线吸光度法所建立的工作曲线的准确性,得到了较为理想的红外光谱法检测汽轮机油含水量的工作曲线。使用建立的工作曲线对未知含水量的油液样品进行检测,测试结果与卡尔·费休法的测试结果相当,且检测效率提高了64%,研究结果表明该汽轮机油含水量快速检测技术是可行的。     

基于P-Buffer的汽车后视镜仿真技术

针对基于多窗口和多视口的传统后视镜仿真方法的不足,为了实现离屏渲染,提高后视镜仿真部件的绘制效率,应用OpenGL的P-Buffer技术,先对虚拟场景中的三维物体进行视图、模型、透视等一系列变换,在P-Buffer中完成后视镜场景的绘制并生成二维图像,然后将其作为动态纹理再映射到后视镜模型上.该方法不仅对后视镜的位置和形状没有任何限制,而且减少了系统中各部件之间的通信量,提高了场景刷新速度,对CPU的占用也没有过多增加.     

基于Java3D的X-VRML虚拟场景解析器模型

针对当前虚拟场景建模不能灵活地修改场景内容,缺乏可定制性、可重用性和可扩展性的问题,分析虚拟场景解析器在虚拟场景显示和用户交互中所起到的关键作用,进而介绍了一种虚拟现实建模语言X-VRML,并提出了X-VRML场景解析器的原型设计.利用Java3D图形引擎实现了对X-VRML场景描述文件的语法分析和场景重建,给出了场景显示中某些细节问题的解决方法.通过实际浏览器进行测试,结果表明,系统具有较为理想的三维显示效果和响应速度.     

企业人力资源成本管理现状及解决对策研究

随着市场竞争压力的增大,企业要想在市场竞争中保持优势,离不开核心岗位上高素质的人才。吸引高素质人才需要成本控制和人力资源成本管理,提高员工积极性,提高劳动生产率,增强市场竞争力。本文以人力资源成本控制为视角,重新分配成本分配方向,提高企业经济效益。     

羟基磷灰石／细菌纤维素纳米复合材料的制备与热力学性能表征

摘要通过仿生途径制备了模拟天然骨成分的羟基磷灰石／细菌纤维素（hydroxyapatite/bacterial cellulose,HAp/BC）纳米复合材料,使用TGA（thermo-gravimetric analysis）, DSC（differential scanning calorimetry）和DMA（dynamic mechanical analysis）测试方法对复合材料进行了热力学表征,以此来了解复合材料的成分组成、热稳定性和热力学行为．实验结果表明,纳米复合材料的成分与天然骨相似,并且热稳定性与纯BC相比有所提高;纳米复合材料在热分解时存在复杂的吸热放热现象;由于HAp的加入,与BC相比,复合材料的玻璃化转变温度向高温区域移动．     

热挤压在AZ31变形镁合金中的研究现状

热挤压是当今镁合金塑性变形的重要手段.镁合金在热挤压过程中晶粒细化,使得变形镁合金的塑性和强度得到提高.本文对比了不同参数下,热挤压对AZ31镁合金组织和织构的影响,为改进镁合金性能方面的研究提供一定的实验依据.     

圆阵列平面靶标特征点的自动标记

特征点标记是实现摄像机标定的一个关键环节。针对无特殊标志和结构要求的一般圆阵列靶标,提出了一种快速的特征点标记方法。该方法利用靶标投影图像中的椭圆阵列的三个特殊特征点建立靶标坐标系,确定靶标方向,进而依据图像坐标系与靶标坐标系之间的映射关系实现对特征点的拓扑定位和标记。实验结果表明,该方法定位准确、稳定可靠,且实现简单,具有较强的通用性和很高的效率。     

具有电压尖峰抑制能力的高增益Y源逆变器

针对传统Y源逆变器器件电压、电流应力过高,产生直流链电压尖峰的问题,提出了一种新型Y源逆变器。逆变器的新型Y源结构可有效减小器件电压、电流应力,附加的L、C、D缓冲电路既能提升电压增益,还可有效抑制直流链电压尖峰。分析了改进型Y源逆变器直流母线电压尖峰产生的原因、新型Y源逆变器电压尖峰抑制的原理,并由数学推导证实了新型Y源逆变器存在抑制电压尖峰的工作过程。在器件应力方面将新型Y源逆变器与改进型Y源逆变器的进行对比,证明了新型Y源逆变器的稳态性能。最后,搭建了新型Y源逆变器与改进型Y源逆变器的实验样机,实验所得数据与理论分析相符,证明了理论分析的正确性和新型逆变器的可行性。     

工艺报警在自动化生产中的优化

在提升智能化工艺生产控制过程中,依据国内外先进的化工企业工艺报警管理经验及相关体系来完善工艺报警管理制度,并优化一系列工艺报警管理措施,解决了自动化程控中工艺报警设置不合理、报警泛滥等现象,提高工艺生产过程的安全性,确保异常现象及时纠正,避免事故的发生,提升生产系统的自动化水平。     

导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面

β-Ga₂O₃单晶作为高压大功率器件的衬底,其位错密度直接影响器件的漏电特性,位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关。β-Ga₂O₃单晶属于单斜晶系,对称性低,研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高。对采用导模(EFG)法生长的(001)、■和(010)面β-Ga₂O₃晶片进行腐蚀,采用扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀坑形貌,采用共聚焦激光扫描显微镜对显露面与表面晶面之间的夹角进行表征,根据测试结果可推算出腐蚀坑显露面晶面指数,为衬底和外延生长提供重要的参考依据。