铁金刚——MINOLTA DiMAGE G500

如果你熟悉美能达的产品，第一眼看到这款MINOLTA DiMAGE G500,一定不会相信这是出自MINOLTA之手，毕竟与DiMAGE系列的其他机型差别太大了。而实际上这款G500是柯尼卡以前的Digital Revio KD-510Z,由于柯尼卡已经与美能达合并，柯尼卡以前的数码相机全部沿袭使用了DiMAGE型号，所以也就有了这款G500。     

记录时尚的极品玩具

虽然目前有越来越多的相机、摄像机可供选择。但是我们需要的可能仅仅是能满足日常拍摄需求，而又携带方便的小DC、小DV。所谓生活的精彩无处不在，及时把握才是关键，拍摄的乐趣也在其中不断体现。想不想手上有一款顺手的兵器?     

全天候DV——松下AG-DVC33MC

对于喜欢玩DV的用户而言，一般的民用MiniDV根本看不到眼里，只有那种2万元左右的3CCD机型才是他们的首选。而在去年，我们《数码》杂志给大家介绍了一款Sony的DVCAM产品,那款产品是基于Sony TRV94E的DVCAM版本,记得当时有不少读者反馈关注。而本期的《数码》杂志又给你带来了款超强的专业DV摄像机——Panasonic AG-DVC33MC。     

极速连拍王——Cannon EOS-1D MarkⅡ

在今年年初的PMA2004上，佳能推出了一款面向新闻摄影的项极数码相机——EOS-1D MarkⅡ,以替代早期的EOS-1D，同时与尼康早前发布的D2H竞争。由于今年有奥运会，所以这类产品引起了几乎所有大新闻单位的关注。在EOS-1D MarkⅡ面世后，人们对其出色的功能和设计大加赞赏，以至于有人说这是目前最好的数码相机。佳能EOS-1D MarkⅡ从发布之日起，已经有两个月时间了，但是产品的正式上市是在4月29日。这个产品，由于针对的是高端用户和专业新闻摄影用户，关注的人并不是很多。但如果你是一个高级摄影发烧友，又是一个铁杆儿的佳能用户，相信一定不会错过这款相机。     

一种新型DVD 小机芯主光轴倾角动态调整方法

DVD 小机芯物镜出射光主光轴与盘片在切向和径向的倾角是DVD 小机芯开发、生产和检测的两个重要参数。为了克服常规采用准直仪静态调整的缺陷,本文提出了分别基于径向脉冲宽度和切向反射光斑偏移两种新型倾角动态调整方法,推导了倾角调整公式,探讨了动态调整原理的工程化实现方法。     

0201元件对制造工艺的影响

随着科技的进步和人们生活水平的提高．人们对电子产品，尤其是电子消费品的需求也越来越高。电子产品的小型化和集成化成了其发展的主流方向。产品的功能越来越多．而其体积越来越小，由此带来的元件的高密度也是必然的。如何在一定的空间内放置更多的元件呢？答案当然是减小元件的体积。这就是为什么0201元件在当前的产品中应用越来越广泛的原因。0201元件的广泛使用，其具体的驱动力来自于越来越多的功能．如GPS、蓝牙技术、80211无线技术、E911、3G，集成在移动电话、笔记本电脑等其他电子产品中。0201元件的出现，给当前的制造系统带来了较大的影响。由于0201元件的体积只是常见的0402元件的四分之一，重量也为其四分之一，在PCB上所占的空间比0402少67％。体积更小，重量更轻使其对整个的组装工艺（包括PCB设计、模板与开口设计、焊膏印刷参数、贴装设备、再流焊、检测等)都有很大的影响。这些影响是一系列的，其中．对组装工艺影响较大的是PCB设计：包括焊盘设计、元件间距、布线设计等)、模板设计和贴片设备的精度。本文将主要讨论这三个方面对0201组装工艺的影响，并对组装工艺过程中出现的缺陷进行分析并给出解决方法。     

冯海打造《数码》时尚脸

提到冯海，摄影圈、时尚圈的人都知道他是国内最著名的时尚摄影师，几年前就已经成名的冯海，如今被很多人认为是国内时尚摄影第一人，他和化装造型师李东田这两个时尚圈顶尖高手的紧密合作更是被传为佳话。其实“著名”这个词有点用烂了，我更愿意用最炙手可热，也最有个性来形容他。     

离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响

采用人造刚玉高温炉管对4H-SiC进行1620℃的离子注入后退火.实验测试发现,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下,SiC表面与残余的氧成分反应生成衍生物SiOC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低.分别采用该种样片和正常样片制作了单栅MESFET,对比测试的欧姆接触和I-V输出特性,评估了高温退火后材料表面对器件的影响.     

4H-SiC埋沟MOSFET的研制

研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为18.1cm2/(V·s).造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面(器件表面布满密密麻麻的小坑).3μm和5μm器件的阈值电压分别为1.73V和1.72V.3μm器件饱和跨导约为102μS( V G=20V, V D=10V).     

某移动通信设备结构设计

1概述该移动通信设备是在原有超短波电台的基础上进行改进和小型化的超短波电台,在结构方面主要从缩小体积、减轻重量、改善加工难度着手。分析参考国内外同类电台,对电台进行总体规划,确定其结构形式,并对电台进行外观造型、电磁兼容、散热、冲击振动、三防、环境密封、安全及可靠性、制造工艺等综合设计。