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11.
设计一种能够工作在超低电源电压下的CMOS开关.该结构运用电压倍增器获得高压,此高压使开关产生的恒定大跨导和大信号摆幅能够在低压电路中传输信号,虚拟开关提高了信号传输精度.在分析电路工作机理的基础上,结合0.35μm标准工艺模型优化了电路参数.合理的电路结构设计和版图设计增加了电路的使用寿命.理论分析和Hsp ice模拟结果表明:该结构能够在低于1 V电源电压下工作,虚拟开关的应用使信号传输精度从69%提高到99.7%.该结构实现了低压下高精度的模拟开关设计. 相似文献
12.
采用数字处理和重构的方法,实现了一种新型选择性复位像素结构及其像素阵列的设计,扩展了CMOS图像传感器(CIS)的动态范围。该方法在像素积分过程中,通过在3个不同的设定时刻比较光电二极管电压值与阈值电压,进行有选择性的复位,得到最终的电压值后,再将其与阈值电压进行重构,从而输出最终的像素值。整个系统的动态范围扩展至107.4dB,提高了成像质量。重构电路由数字电路实现,在保证速度的前提下,减少了处理单元的存储器需要。 相似文献
13.
为了解决三代微光器件研究中出现的阴极灵敏度低、光电发射不均匀、稳定性差等问题,重点开展了铯源质量对阴极性能产生影响的试验研究。结果表明,激活铯源纯度、装配结构、铯源与阴极距离对阴极光电发射灵敏度、均匀性影响最大。铯源出口孔径多少大小及射出方向是阴极产生暗班的主要原因。在铯源材料成分结构与阴极距离确定之后,阴极灵敏度的高低主要决定于对铯源的除气工艺,通过对铯源除气工艺进行优化,制备出了阴极灵敏度大于1700μA/lm三代微光器件。 相似文献
14.
15.
微光管GaAs阴极激活铯源材料放气成分质谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
运用四极质谱计对微光管GaAs阴极激活铯源材料除气时释放的残气进行分析,发现受污染铯放气成分主要是C,CO,CO2,CxHy等残气,它们是使GaAs阴极灵敏度低的主要原因。通过对铯源除气工艺改进,实现了原子级纯净铯获得。并研制出了主要性能合格的微光夜视成像器件。 相似文献
16.
17.
汉阳陵是西汉景帝刘启与王皇后同茔异穴合葬的陵寝,其遗址博物馆是我国首次采用多种国际先进配套设施结合最新保护理念,实现全封闭地下保护,占地面积最大的遗址博物馆,被誉为“国际古迹遗址保护的典范”。经监测解析其室内空气环境呈现如下特点:1.温度环境稳定,保持在16.2±3.9℃;2.空气湿度相对稳定,但存在一定波动,为83.8±13.9%;3.空气中颗粒物PM浓度呈现较低水平,为10.0~39.5μg/m3,且主要为细颗粒物PM2.5和PM1。上述结果表明汉阳陵地下遗址博物馆温度环境稳定、空气洁净,对文物的保存保护有利。 相似文献
18.
本文通过试验区32口连续井各沉积单元、不同有效厚度级别、不同有效渗透率级别吸水状况分析,初步总结出二类油层三元复合驱油层动用特点,试验区油层有效厚度动用比例达90%以上,有效厚度大于2m,渗透率大于0.37m2油层有效厚度动用比例最高;三元段塞注入后,表外储层动用程度可达70%以上;在注入化学剂0.4PV剖面发生反转,注入剖面反转后油层动用程度有所降低,但仍保持在80%以上;同时及时有效地提出改善油层动用状况的措施调整方法,为进一步提高试验效果奠定基础。 相似文献
19.
为解决单片微通道板(MCP)近贴聚焦像增强器在强脉冲光照射下输出图像失真、脉冲响应时间慢的问题,对光电阴极面电子发射过渡过程进行理论分析,得出半导体阴极发射层电阻大、光电阴极和荧光屏与MCP间的距离大、器件增益低是造成器件响应时间慢的主要根源。因此采用在阴极发射层底面真空蒸镀100 nm厚半透明金属导电膜、阴极与MCP输入面间距从0.4减小到0.15 mm、荧光屏与MCP间距从0.8减小到0.5 mm和双MCP级联等措施,制成了脉冲时间小于2 ns,增益达到106的纳秒响应像增强器,满足了核技术研究需求。文章中给出了像增强器的结构、技术指标及器件改进前后的时间响应曲线,并指出了器件的应用前景。 相似文献
20.