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71.
离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。 相似文献
72.
73.
叶中一 《全国造气技术通讯》2002,10(6):17-19
回忆吹风气蓄热型燃烧炉(室)技术发展历程,指出氮肥厂回收低温吹风气潜热可首选非预混燃烧蓄热型燃烧炉技术。 相似文献
74.
75.
邓重一 《国外电子测量技术》2004,23(Z1):33-35
说明了磁场计的作用及磁场测量的意义;介绍了核心芯片HMR2300r及接口芯片SN75LBC184的情况;描述了仪表的设计过程,给出了整体的电路框图及部分电路连线图,对系统的软件设计也进行了解释,强调了仪表使用应注意的事项. 相似文献
76.
本文阐述了液态模锻工艺与铸造、锻造相比所具有的突出优点,分析如何确定合理的工艺参数,介绍较为实用的模具结构,对经济效果进行了分析,为采用和推广此项工艺提供了有益的参考。 相似文献
77.
描图纸小白点纸病对正常生产及用户使用影响很大,本文主要对小白点纸病形成原因进行了简要的分析,并提出了预防和解决措施。 相似文献
78.
79.
80.
上海华虹NEC电子有限公司工程一部 《中国集成电路》2007,16(7):36-37
1、简介项目名称:高压0.18μm先进工艺技术,该项目产品属于30V高工作电压的关键尺寸为0.18μm的逻辑器件。在8英寸硅片上经过32层光刻版制作完成的该产品集成了10余种晶体管,可广泛应用于手机、电脑、PDA、电视等液晶显示器的驱动器件。 相似文献