SiO2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜.引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响.利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究.结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能.     

脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征

在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°.薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108 N/m2.原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm.此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同.     

板料的基本成形性与模拟成形性的相关性研究

本文分析了单向拉伸、双向等拉、平面应变、纯剪四种基本状态的试验和锥杯、扩孔、拉深、杯突四种模拟试验,取得了一系列基本材料参数和模拟指标。根据这些试验数据,用解析法建立了基本成形性和模拟成形性之间的数学关系式,用数理统计法,探讨了这两类性能之间的线性相关性,为进一步开发基本试验、简化和精化模拟试验打下了基础。     

N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性

利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜，N2O为生长气氛．利用X射线衍射（XRD），Hall实验，X射线光电子能谱（XPS）和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究．结果表明，薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量，N以N-Al键的形式存在．N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时，共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值，载流子浓度为2.52e17cm－3，电阻率为57.3Ω·cm，Hall迁移率为0.43cm2/(V·s)．N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向，在可见光区域透射率高达90%．     

溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.     

混酸法硝酸磷肥除钙过程的工艺控制

探讨我国第一套自行设计、设备国产化的硝酸磷肥生产线 ,在混酸状态下结晶除钙的工艺控制。阐述原料组分及杂质含量、料浆液固比、料浆中的 SO3浓度、反应温度、料浆混酸浓度等因素对结晶控制的影响。     

国内市场食品接触金属制品的质量安全状况分析

分析了目前我国食品接触不锈钢制品、铝制品、容器内壁涂料的质量安全标准现状。基于实际工作经验,研究了本单位2012年度在全国市场上抽查的不锈钢制品和铝制品的质量结果及近年委托检验的有机涂覆层金属制品的检测结果,并进行了数据统计分析,以此了解国内市场食品接触金属制品的质量安全状况。     

神经网络在应用雷达遥感反演土壤水分中的应用

土壤水分是水文、气象和农业环境研究中的重要参数，应用微波特别是雷达进行土壤水分的反演估算是当前研究的热点。探讨了当前对土壤水分研究的方法，通过对比分析前人结果提出了应用半经验模型和神经网络算法(SM—NN)相结合估算土壤水分的方法及过程。     

~(252)Cf自发裂变反应的中子与γ光子发射竞争

核裂变是一个复合裂变核在它们的断点形成两个质量数相差不太多的大形变碎片过程。由于弯曲(bending)和扭动(wriggling)激发以及断裂后碎片间Coulomb力引起的Coulomb激发,形成的大形变碎片将具有大的角动量。当在断点分离后的碎片回到它们的基态平衡形状时,形变能与它们在断裂前取得的内部激发能一起构成了碎片发射中子的动力,而碎片具有的角动量将以γ光子发射形式释放出来。由于核的中子发射宽度Γn远远大于γ光子发射宽度Γγ这一事实,因此,裂变碎片的γ光子发射是中子发射后的角动量退激过程。鉴于每次裂变的中子多重性ν和γ光子产额…