金属基电路板激光成型工艺研究

金属基电路板具有优异的散热性、电磁屏蔽性等优势在大功率电气设备、电源设备等领域得到了越来越多的应用。激光成型工艺具有尺寸精度高、操作简便、可加工任意形状、加工成本低等优点,但在金属基电路板成型应用中经常会发生切口粗糙度过大、熔渣粘板面等问题。文章在掌握激光成型原理的基础上从激光功率、聚焦参数、辅助气体类型、辅助气体压力、切割速度几个方面展开了工艺研究,探讨了如何选取加工参数以保证成型品质的同时提高生产速度。     

热喷焊镍基自熔性合金（NiO2）涂层的耐磨性及组织研究

采用Ｘ－射线衍射仪，等，分析研究了氧乙炔火焰焊接基自熔性合金粉末涂层的组织及其结构，硬质相的形貌及分布，涂层的磨损性能磨损规律，探讨了涂层具有高耐磨性的原因。     

电解烟气净化除尘器的研究

针对当前工业生产中除尘设备对电解烟气的净化回收效果不佳,除尘器控制系统难以满足实际发展需求的问题,对电解烟气净化除尘器研究设计开展分析,提出多方面优化措施,有效提升了除尘器除尘性能,为电解烟气的净化提供帮助。     

矩形薄板弯曲的严格简明解析解

解析解在理论上与数值计算上都有很高价值。根据历史已有的经典解的启发,对导出矩形薄板弯曲的严格简明解析解(无特殊函数与无穷级数)的方法,提出推导的新思路：在求导简明严格解析解时,应该改变已有办法,不是以外载荷的分布为给定参数,而是先考虑满足边界条件的薄板法向位移分布,再按基本方程求出外载荷与其余参数的应有分布。对于简支边界条件,为得出简明严格解析解,法向位移的解析函数在两个坐标上分别应该至少各有两个根,而且两个根值所在处同时也是函数的拐点。对此准则,以偶数多项式、概率函数与箕舌线函数作为法向位移函数为例,给出其应有的简明严格解析解。 同样,对于固定边界条件,类似的准则是：法向位移的解析函数在两个坐标上分别应该至少各有两个根,而且两个根值所在处同时也是函数极值所在。以奇次多项式与星型线函数为例,给出其法向位移函数和应有的简明严格解析解。上述思路与方法能再发展,例如用于不同或复合的边界条件中去。     

N-(3,5-二取代基-2-氧-2,3-二氢苯并[d]噁唑-6-基)苯甲酰胺类化合物的合成及杀菌活性

为了寻找高效、广谱、低毒、低残留的环境友好性杀菌剂,采用活性亚结构拼接法,引入广谱生物活性的苯并噁唑酮基团,设计并合成了12个未见文献报道的N-(3,5-二取代基-2-氧-2,3-二氢苯并[d]噁唑-6-基)苯甲酰胺类化合物(3),所有目标化合物结构均通过1H NMR、IR、LC/MS确证。初步生物活性测试表明该类化合物具有较弱的杀菌活性。     

基于FY-2C气象卫星云图的台风分割方法的研究

在利用FY-2C气象卫星云图进行台风中心自动定位与跟踪的研究中,台风云系的分割是处理中关键的一步。结合台风主体云系具有灰度值较高、面积较大、活动范围有限和像素集中的特点,综合采用阈值法、数学形态学法和数理统计等方法,对FY-2C气象卫星云图中的红外一通道兰勃托原始投影云图中的台风分割进行了研究,取得了满意的效果。     

一种优化IPv6源路由拓扑探测的方法

IPv6网络普遍支持源路由的特性及源路由探测具有发现交叉链路的能力,因而成为近年来网络拓扑发现领域研究的焦点.但源路由探测冗余避免和种子节点选取这两个核心问题至今没有得到合理的解决.提出了一种优化IPv6源路由拓扑探测的方法,该方法利用分布式拓扑探测方式获取的基本拓扑信息为源路由种子节点的选取和探测冗余避免创造了有利的前提条件,从而显著提高了IPv6源路由拓扑探测的执行效率.通过对CERNET2网络的实际测试结果体现了该方法在提高覆盖率和探测冗余避免两个主要方面都具有优势.     

关于智能控制系统键盘结构形式的研究

键盘是各种电子产品的重要组成部分,本文在介绍、总结传统键盘结构组成及特点的基础上,提出了一种新型的键盘结构形式,并对两种结构的键盘作分析比较,后者更具明显优势,值得应用推广。     

软开关技术在小水电站励磁装置中的应用

详细介绍了软开关技术应用于自并激式小功率同步发电机励磁电源装置的工作机理,分析了励磁装置的试验数据。在改造小水电站过程中,用该装置取代他励交流励磁机等老式励磁装置,具有较好的应用前景。     

有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池S形电流扭结的集总参数等效电路模型

提出一种改进的太阳能电池集总参数等效电路模型,可以实现对S形电流电压曲线的准确拟合。该改进模型使用四个二极管,采用分区和Lambert W函数方法建立结点电压显式算法,获得电流-电压显式方程。与具有多个子电路的电路模型比较,改进模型中加入分流电阻,结构上更加完整。此外,该模型可以描述S形曲线,对较大正向电压下I-V特性第一象限的指数型曲线可实现良好拟合。基于该模型解析求解算法,可避免长时间数值迭代计算,获得满足误差要求的计算结果,利于仿真电路和模型参数提取。