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报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
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该文对土工合成材料的划分、命名、规格、其产品原材料、生产工艺、成品的检测等多方面逐一规范性介绍,希望通过对土工合成材料从生产至应用及检测各环节的规范化普及,促进其在水利施工中的应用。 相似文献
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各种视听会议终端的互通 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍基于H.320.H.321.H.322,H.323,H.310等H系列建议的视听会议终端之间的互通以及各建议适用的网络互连使用的网关的功能和结构。 相似文献
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交联型聚醚聚氨酯的表征、力学性能及其碱金属盐络合物的导电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用三羟甲基丙烷(TMP)作交联剂与聚乙二醇(PEO-1540)和甲苯二异氰酸酯(TDI)反应,得到了具有较好力学性能的交联型聚醚聚氨酯(PEU),该聚合物与LiClO4的结合物具有较高的室温电导率(σ30℃=1.87×10 ̄(-4)S/cm)。采用全反射红外光谱(ATR-IR)对聚合物的结构进行了表征。对聚合物的组成、不同TDI类型及络合盐浓度对聚合物力学性能及其络合物电导率的影响进行了探讨。低度交联聚合物的络合物,其电导率与温度的关系符合建立在自由体积理论上的VTF方程,表明络合物中离子的传导主要是在无定形区域进行,与自由体积有关。 相似文献