C元素对N型a-Si:H薄膜微结构及电学特性的影响

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si:H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si:H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系.结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si:H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si:H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si:H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势.

Abstract：

Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films doped with P and C were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).The influence of carbon on the dark conductivity,activation energy and mirostructure of the P-doped a-Si:H films was investigated by means of electrical measurment and Raman spectroscopy,and the relationship between electrical properties and microstructure of the films was also analyzed.It is shown from Raman spectra that the degree of short-range order and the defects of the films decreae with the increase of carbon doping,while the degree of intermediate-range order remains unchanged.A small amount of carbon can reduce the activation energy and enhance the dark conductivity of the P-doped a-Si : H thin films.However,excessive carbon makes the structural order of the amouphous network get worse which leads to a decline of dark conductivity.     

温度对CdZnTe载流子输运特性和能谱特性的影响

采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210～300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1 360cm2/V-1s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220～300K温度范围内,对比了CZT探测器对241 Am@59.5keVγ射线的能谱响应结果,分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明,在298～253K温度范围内,降低温度可以提高晶体的体电阻率,减少探测器工作时的漏电流,进而提高探测器的能量分辨率;但当温度低于253K时,电子寿命τe加剧减小,此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略,导致探测器性能恶化。     

用偏振干涉法测相位-偏振调制器伏-相特征

结合偏振干涉法,详细分析了相位-偏振调制器的输入电压与其延迟相位的关系,并导出了相位-偏振调制器的输出光强与其延迟相位的数学表达式.研究结果表明,采用偏振干涉法可以使相位.偏振调制器获得稳定的干涉光强,从而可以精确地测量出相位-偏振调制器的伏-相特征曲线.测量结果表明,相位-偏振调制器的伏-相特征曲线具有良好的线性特性.     

一种改进的基于奇异值分解的隐私保持分类挖掘方法

 隐私保护是数据挖掘研究的重要内容之一,目前已经提出了大量隐私保持的数据挖掘算法.基于奇异值分解的方法是其中重要的一种,它是一种基于数据扰动的方法.现有的基于奇异值分解的隐私保持数据挖掘方法对所有样本和属性都进行同样强度的扰动.但不同的样本和属性可能对隐私保护有不同的要求,而且对数据挖掘的重要性也可能不同,因此最好可以对他们进行不同程度的扰动.本文对基于奇异值分解的数据扰动方法进行改进,使之可以对不同的样本和属性进行不同程度的扰动.并在此基础上提出了一种改进的隐私保持分类挖掘方法.实验表明,与原有的基于奇异值分解的方法相比,在保证数据可用性的前提下,本文方法可以对隐私数据提供更好的保护.     

半导体量子点的生长机理及特性

阐述了半导体量子点自组织生长方法的基本原理,并介绍了半导体量子点的一些特性,如激子束缚能、载流子动力学、排列规则和光学性质。     

非晶氧化钛薄膜的电学特性研究

室温下,通过采用直流反应磁控溅射法在覆盖有氮化硅薄膜的单晶硅衬底上生长了厚度约为100nm的氧化钛薄膜。掠入射X射线衍射分析结果表明在室温下,不同氧分压下生长的氧化钛薄膜均具有非晶结构。分别采用场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对薄膜的表面和断面形貌以及薄膜的组分进行了分析和表征。对薄膜的电学特性测试发现非晶氧化钛薄膜在293～373K的温度范围内主要依靠热激发至扩展态中的电子导电。     

细菌外排泵抑制剂对光动力疗法防龋效果的影响

目的:探讨细菌外排泵抑制剂(microbial efflux pump Inhibitor,EPI)———维拉帕米对以甲苯胺蓝O(toluidine blue O,TBO)为光敏剂的光动力疗法(photodynamic therapy,PDT)抑制牙菌斑生物膜内主要致龋菌作用的影响。方法:以变形链球菌、血链球菌、嗜酸性乳杆菌和粘性放线菌为实验菌株,建立牙菌斑生物膜模型。以维拉帕米作为细菌外排泵抑制剂,根据在PDT过程中加入维拉帕米和光敏剂的先后顺序,实验分为5组。A组:生理盐水处理组。B组:单纯PDT处理组。C组:同时加入光敏剂和维拉帕米PDT处理组。D组:先加入维拉帕米后加入光敏剂PDT处理组。E组:先加入光敏剂后加入维拉帕米PDT处理组。平板菌落计数观察牙菌斑生物膜活性,并运用激光共聚焦显微镜(Confocal laser scanning microscopy,CLSM)对处理后的牙菌斑生物膜进行断层扫描、分析。结果:与生理盐水处理组相比,单纯PDT处理组牙菌斑内致龋菌存活的数量(CFU/mL)明显减少(P<0.05),其抑菌率为81.02%;与单纯PDT处理组相比,加入维拉帕米的PDT处理组内牙菌斑内致龋菌存活数量有下降趋势。其中先加入维拉帕米后加入光敏剂PDT处理组牙菌斑内致龋菌存活数量显著性下降(P<0.05),抑菌率高达93.60%;激光共聚焦显微镜观察发现菌斑生物膜发生明显的变化。结论:实验表明光动力疗法有明显的防龋效果,且细菌外排泵抑制剂对PDT防龋效果有促进作用。     

基于TSPC的4/5双模前置分频器设计

针对无线传感网络对射频电路高速、低功耗方面日益增长的性能要求,设计了一款用于高频锁相环中的高速、低功耗4/5双模前置分频器。在分析真单相时钟(TSPC)电路工作原理的基础上,指出了该电路结构存在的两个主要缺点,并结合器件工艺和物理给出了相应的版图优化解决方法。然后,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一款基于这种改进后的真单相时钟电路的集成4/5双模前置分频器。在版图优化设计后利用Cadence Spectre进行了后仿真验证,结果表明,在直流电源电压1.8 V时,该4/5双模前置分频器的最高工作频率可达到3.4 GHz,总功耗仅有0.80 mW。该4/5双模前置分频器的最低输入幅值为0.2 V时,工作频率范围为20 MHz~2.5 GHz,能够满足面向无线传感网络应用的锁相环(PLL)的高速、低功耗性能要求。     

半桥型LLC变换器稳态建模与参数设计

本文介绍了LLC型谐振变换器的主电路结构和工作原理。通过基波分析法对半桥型LLC谐振变换器进行稳态建模分析,得出了谐振腔的等效电路和直流增益表达式。基于稳态模型的基础上,给出了半桥型LLC谐振电容、谐振电感和励磁电感的设计方法。最后通过saber仿真验证了半桥型LLC谐振变换器稳态模型与参数设计方法的正确性。     

空穴传输层厚度对有机发光二极管性能的影响

采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK/Alq3/Mg∶Ag/Al的有机发光二极管(OLED),通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对OLED器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配.实验结果表明,OLED的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,空穴传输层厚度为15nm时,OLED器件具有最低的启亮电压,最高的发光亮度和最大的发光效率.