SnO2共混Fe2O3纳米氧化物的制备及其组织结构研究

用SnCl4和FeCl3为原料,采用化学共沉淀法制备掺杂Fe2O3的纳米SnO2,运用差热(DSC)、X射线粉末衍射(XRD)和透射显微镜(TEM)等方法对Fe2O3和SnO2混杂纳米粉末的物相和粒径进行了分析。结果发现：与纯SnO2相比,(1)掺杂Fe2O3可以降低前驱体Sn(OH)4分解制备SnO2纳米晶的焙烧温度,从纯Sn(OH)4的分解温度345．7℃下降到341．1℃;(2)掺杂Fe2O3可以有效阻碍SnO2纳米晶的团聚和长大,前驱体在650℃焙烧时,纯SnO2晶粒在25nm,而掺杂Fe2O3的SnO2晶粒可以保持在2nm左右;(3)掺杂Fe2O3使前驱体焙烧制备SnO2的温度范围更宽,对制备小于10nm的SnO2纳米晶,纯SnO2的焙烧温度范围在400～550℃,而掺杂Fe2O3的焙烧温度范围在400～650℃;(4)SnO2／Fe2O3复合粉末在650℃以下,其晶体结构保持溶剂SnO2的四方结构,部分Fe元素置换了Sn的位置;650℃以上,复合粉末从溶剂晶格中析出Fe2O3形成两相结构。     

3-甲基吗啉-2,5-二酮与ε-己内酯共聚物的制备与表征

以辛酸亚锡为催化剂,合成了3-甲基吗啉-2,5-二酮(MMD)与ε-已内酯(ε-CL)的共聚物,并用FT-IR、1HNMR、DSC、粘度测定等分析方法对共聚物进行了表征.结果表明,MMD能很好地与ε-己内酯进行共聚,且共聚物的性能可以根据投料比例的不同在很大范围内进行调节.     

机械设计中零部件定位配合的工艺性分析

在机械设计中,正确地选择定位配合的形式和确定零部件定位配合的精度,是一项重要的设计内容之一。论述了零件定位配合的类型及在零件定位配合设计中主要应考虑的因素。根据分析结论可为设计人员提供一定的参考依据。     

浅谈矿井胶带机变频调速系统设计

介绍了一种矿井胶带机变频调速系统的结构设计、变频器的选型计算、控制策略的具体实现及系统功能。实际运行表明,该系统控制的胶带机启动转矩大、电流冲击小、启动速度平稳、功率因数及运行效率高,大大降低了设备的维护量,节电效果明显。     

等离子喷涂Sm_2Zr_2O_7热障涂层残余热应力

采用有限元分析软件ANSYS对等离子喷涂Sm2Zr2O7热障涂层在金属基体材质类型、厚度、半径变化时涂层的残余热应力进行了分析。结果表明,金属基体的热膨胀系数对Sm2Zr2O7热障涂层的残余热应力有着显著影响,金属粘结层与表面陶瓷层界面处的残余应力及其应力梯度随着金属基体热膨胀系数增加而增大。金属基体厚度和半径不是影响Sm2Zr2O7热障涂层残余应力的主要因素。     

基于概率统计的单粒子多单元翻转信息提取方法

航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转（MCU）情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转（SEU）实验数据中的MCU信息。该方法通过统计分析SEU实验数据中不同翻转地址间的按位异或和汉明距离以提取MCU模板,然后利用该模板提取MCU信息。采用一款位交错SRAM器件的重离子实验数据对上述方法进行了验证,结果表明,该方法能以较高的精度提取实验数据中的MCU信息。该方法可省去对器件进行逆向工程的时间和成本,提高科学研究和航空航天器件选型效率。     

基于物理的体硅CMOS存储器多位翻转特性电路级仿真分析

本文提出了一种电路级仿真方法,对体硅CMOS存储器中由单粒子效应引发的多位翻转特性进行了建模分析。该方法综合考虑了扩散效应及寄生双极放大效应引发的电荷共享收集机制,能基于版图特征重构多节点电荷收集的电流源,实现对单粒子效应位翻转截面的预估计算。针对一款65 nm工艺体硅CMOS存储器,对不同能量及角度入射的重离子引发的多位翻转效应（MCU）进行了仿真计算,并与试验结果进行了对比。     

不恰当应用源隔离策略引入的相反效果

通过研究源隔离策略为典型代表的版图加固措施,评价多种考虑源隔离策略加固结构的单粒子瞬态响应,验证并报道了产生的相反效果。除寄生双极放大效应,驱动能力和节点电容均能对单粒子瞬态产生影响,由于受多个因素调控,除非某因素确定无疑是最主要的影响因素,在采取加固措施之前必须经过仔细考虑以及定量评估。     

高性能多组分色谱在线监测装置

介绍了高性能多组分色谱在线监测装置的工作原理及技术手段;并通过试验,验证了该装置的高灵敏度。     

高性能多组分色谱在线监测装置

介绍了高性能多组分色谱在线监测装置的工作原理及技术手段;并通过试验,验证了该装置的高灵敏度.