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采用时域有限差分(FDTD)方法,对蜂窝铝-木基复合材料的电磁波吸收特性进行了研究。探讨了嵌入蜂窝铝的层数、蜂窝孔径、层间距以及周期尺寸等结构参数对复合材料电磁波吸收特性的影响。结果表明,在1~20GHz频率范围内,蜂窝铝的嵌入可明显改善其电磁波吸收性能。嵌入的层数越多,复合材料对电磁波的吸收效能越好;在8mm厚木材中嵌入5层具有单一孔径蜂窝铝时,复合材料的电磁波吸收效果最高可达70%。并且蜂窝孔径越小、层间距越大,复合材料的电磁波吸收性能越好。将具有不同孔径的蜂窝铝有序组合,可以进一步提高复合材料对电磁波的吸收率,最高可达到80%。 相似文献
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酚类化合物对白色念珠菌的抗真菌活性及其构效关系(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
目的寻找对白色念珠菌具有抗真菌作用或与氟康唑具有联合抗真菌作用的活性化合物。方法以美国临床标准化委员会建立的真菌敏感性测定液基稀释法(NCCLSM27-A)评价了8种天然酚类化合物和其6种半合成衍生物对18株临床新近分离的白色念珠菌的抗真菌活性。对具有抗真菌活性的实验化合物进一步进行了与氟康唑的联合抗真菌作用评价。结果化合物albicanylcaffeate对白色念珠菌表现出强的抗真菌活性,MIC为4μg/ml;而化合物大黄素、白藜芦醇、3,4'-二氟二苯乙烯、2,2'-二氟二苯乙烯及2,3',5'-三氟二苯乙烯显示出中等程度的抗真菌活性,MIC为16μg/ml;双联苄pakyonol、多酚类儿茶素、白藜芦醇二聚体野葡萄素A、3,4,4'-三羟基联苄、2,4'-二氟二苯乙烯、4-氟二苯乙烯及2-甲氧基-4'-氟二苯乙烯显示出较弱的抗真菌活性,MIC为32μg/ml。当与氟康唑联合时,albicanylcaffeate和3,4'-二氟二苯乙烯显示出协同抗真菌活性,而儿茶素与白藜芦醇显示出相加的抗真菌活性。结论所实验的酚类化合物对白色念珠菌具有较强的抗真菌活性,其中部分活性化合物与氟康唑呈现出协同或相加的联合抗真菌作用。在未来抗念珠菌感染的治疗中可能会起到重要的作用。 相似文献
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不同厂家华法林片剂溶出度的考察 总被引:4,自引:0,他引:4
目的 建立华法林含量测定的高效液相色谱 (HPLC)方法 ,并以此方法考察比较 4个不同厂家华法林片的溶出度。方法 参照中国药典 2 0 0 0年版溶出度检查方法 ,建立华法林片剂溶出度高效液相色谱测定方法 ,考查 4个厂家的华法林不同时间内的累积溶出度 ,绘制溶出曲线 ,计算参数T50 、Td、T80 、m ,并对各参数值进行t检验。结果 华法林在 1.6 3~ 8.16 μg ml范围内线性关系良好 (r=0 .9996 ) ;平均回收率 10 0 .4 6 % ;精密度 (RSD)小于 2 %。 4个厂家 4 5min时华法林累积溶出度分别为 :91.8%、82 .1%、84 .6 %、84 .5 % ,均大于 80 %。结论 以HPLC法测定华法林溶出度 ,方法准确、灵敏、稳定 ;以此方法测定 4个厂家华法林片剂的溶出度 ,结果均符合规定 (70 % ) ,但各产品体外溶出参数T50 、Td、T80 、m间差异与高度显著性。 相似文献
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开封模范商场位于开封市繁华地段,南临鼓楼街、东临南土街、西与综合服务楼毗邻。建筑面积22301m~2,为一座现代化商业服务网点。地面以上四层为营业厅、五至十六层为办公用房或宾馆,地下室为一层。沉管灌注基础,桩顶标高为—7.33m(高层部分)及—5.50m(群房部分),现有自然地坪面为0m~0.56m。地下水埋深—1.8m~—2.5m,0m~—10m土层多为杂填土,夹有近代黄河淤积粉质土和粘质土。 由于场地受限,地下水位较高,给土方开 相似文献
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有机电致发光器件中复合发光的电场和温度关系 总被引:1,自引:1,他引:0
通过分析有机电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型。基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合几率、电流密度及复合效率表达式。研究了外加电压和温度对器件中激子的复合几率及在各种接触条件下外加电压对器件电流和复合效率的影响。结果表明:(1)在一个较宽的注入势垒范围内,复合几率随电场和温度的升高而降低;(2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;(3)复合效率随外加电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,并存在一个最佳的注入势垒值。其计算值与所报道的实验结果相符合。 相似文献
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深层搅拌桩在深圳某路基加固中的设计与施工 总被引:2,自引:1,他引:1
本文针对深圳某段道路的工程地质情况,进行了加固方案设计,参数选择与计算及施工方案设计。 相似文献
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LiF层对ITD/Alq3/LiF:Al器件性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs):ITO A1q^3/Al;ITO/A1q^3/LiF(1.0nm):A1;ITO/A1q^3/LiF(1.5nm):A1;ITO/A1q^3/LiF;(2.0nm)A1。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表明:适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性,而且可以提高器件的发光亮度及发光效率。 相似文献