强噪声环境下语音增强算法的比较研究

介绍语音增强的原理和从强噪声背景中提取语音信号的方法,并对基于减谱法的增强算法、基于自适应滤波法的增强算法和基于小波变换的增强算法进行对比研究。鉴于语音增强算法的两个目标即增强语音的清晰度与理解度并不是相关联的,有时甚至相互矛盾,因此任何一个语音增强算法都是根据不同的应用做适当的选择和折衷。基于此,对三种算法进行仿真实验的比较研究,实验结果证明应用小波变换的语音增强算法比其它的方法更有效。     

基于Web服务和FMS技术的网络教学平台设计

网络教学平台是以学生学为主体、教师教为主导进行网络教学的平台,是对传统教学形式的改革,适应了当前教育模式的发展和Internet远程多媒体互动教学的发展需求。本文介绍了一个采用PHP语言设计的网络教学平台,该平台包括教学动态、资源中心、在线测试、智能搜索、在线多媒体交流等功能模块。重点介绍了基于PHP_SOAP的Web Sevice和FMS（Adobe Flash Media Interactive Server）技术的应用。实践表明其具有一定的参考价值和实用价值。     

低维纳米材料中五次孪晶结构的透射电镜研究

本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究。首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性。结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次孪晶结构特点,其中五次孪晶是由五个{111}晶体旋转组成。并针对五重旋转孪晶产生7°20′本征间隙的这一典型结构问题,进行了统计实验分析,提出了纳米线中五次孪晶的新的结构模型。电子能量损失谱(EELS)研究表明:五次孪晶的中心部位相对于Ag单晶,其Ag M4,5峰向低能量方向有轻微漂移。单根纳米线的选区电子衍射或者是由[112]和[110]方向,或者是由[110]和[111]方向叠加产生的。对五次孪晶纳米线高温动态行为的透射电镜原位观察将有利于了解纳米线的生长机理。     

高临界温度超导材料BiSrCaCu_2O_y的电子显微镜研究

新的高Tc超导材料B:SrCaCu_2O_y具有两个主要的超导相,它们的超导转变温度分别为89k(称之为A相)和110k(称之为B相)。电子衍射分析得到A相和B相的平均结构都是正交晶胞。A相的晶胞参数为a=0.541nm。b=0.543nmc=3.07nm,B相的晶胞参数为a=0.541nm,b=0.543nm,c=3.68nm。图1 a、b分别是A相沿[001]和[110]方向的高辩象,沿b方向有无公度的调制,调制周期约为2.53nm。这种超导材料具有沿c方向的层状组织,并且A相和B相存在交生(图2)。此外也观察到沿c方向周期为2.48nm的铋锶钙铜氧化物。     

基于NURBS插补算法的数控雕刻机控制系统的设计与实现

为解决数控雕刻机控制器运算能力不够强和数据高速传输的问题,系统采用了运算能力强大的TMS320F28335 DSP作为主控制器,采用NURBS算法进行曲线插补,使用USB总线作为DSP控制器与计算机主机之间的数据传输方式,实现了G代码高速下载,执行信息同时被反馈给上位机实时显示;雕刻机控制系统软件运用模块化思想设计,便于功能扩展;在轨迹控制中运用NURBS算法使控制器提高了插补过程的运算效率高;试验结果表明所设计雕刻机的可行性和可靠性,加工速率提高了大约12％,有较好的工程应用价值.     

基于SIFT特征配准的浮选泡沫移动速度提取与分析

利用尺度不变特征转换(SIFT)特征的优势,将其特征配准引入到泡沫速度特征提取中,解决了泡沫速度特征难以提取的问题.工业浮选现场泡沫速度特征提取结果表明:该方法对仿射变换、光照变化等不敏感;可以准确获取各种浮选状态下泡沫移动速度特征.在对某轻金属浮选厂泡沫视觉特征进行为期半年的观察之后,讨论了浮选泡沫速度特征与浮选指标间的关系,为建立基于机器视觉的浮选优化控制打下基础.     

采场余留矿量放顶回收及覆盖层回填技术

露天矿山转入地下开采过程中,如何解决边坡内采场放顶形成覆盖层及其内余留矿的高效安全回收,成为过渡期矿山面临的重要问题。实践证明,通过其边坡内余留采场或后期施工采场的整体大规模爆破放顶落矿,在下部分段回采中能高效安全回收边坡内余留矿量,并形成足够厚度覆盖层。介绍了保国铁矿高效安全回收边坡内余留矿量的做法。     

(001)Si衬底上La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3外延生长薄膜的界面电子显微学研究

本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3（STO）和La0.9Sr0.1MnO3（LSMO）薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[^-110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO,//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si^2＋和Si^0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中。     

场发射枪透射电镜电子全息静电双棱镜二氧化硅细丝的制作

电子全息静电双棱镜二氧化硅细丝是在透射电子显微镜中进行电子全息实验的关键部件,目前国内尚不能制备.本文采用简单易行的方法,加工制作了镀金石英细丝,直径约1 μm,并粘接在电子全息静电双棱镜的电极上,导电性良好,获得了条纹间距优于0.2 nm的电子全息干涉图.