提高BAILEY INFI—90系统的安全可靠性

文章简要介绍了BAILEY INFI-90的系统结构,论述了控制系统在安全可靠性方面存在的问题,并提出了可行的解决方案。     

一种矩形微米流道的加工与流量测定

介绍了一种比较成熟的矩形微米流道(微槽道)加工工艺,利用厚胶光刻工艺在硅片上制备胶模板,进而在该模板上用高分子聚合物PDMS(Polydimethylsiloxane,聚二甲基硅氧烷)制作了微米量级的微槽道(高、宽范围20~100μm),对制备的微槽道的几何精确度进行了20×100倍放大显微观测,对其流量特性进行了实验测定.实验结果与泊肃叶理论公式(NS方程的管流表达式)相对比,可以看到在微米量级的矩形微流道中,泊肃叶公式仍然适用.     

发动机进、排气系统漏气对碳平衡影响的试验研究

针对发动机进、排气系统漏气影响碳平衡偏差问题,分别对进、排气系统不同管路漏气进行万有特性、稳态循环、瞬态循环试验,测试和分析碳平衡偏差随漏气位置和漏气量的变化规律。结果表明：压气机后进气管或排气管路漏气时,测试工况点的碳平衡偏差均为正值,其中压气机后进气管漏气的最大碳平衡偏差为35%、排气管路漏气的最大碳平衡偏差为1.7%;压气机前进气管路漏气时,碳平衡偏差为负值,最大为-6.3%;碳平衡偏差的绝对值随进气系统漏气量的增加而增大,但排气系统漏气量不影响碳平衡偏差。碳平衡偏差主要受进气管漏气影响,当碳平衡偏差超过3%时,若碳平衡偏差为正,应优先排查压气机后进气管路;若偏差为负,应优先排查压气机前进气管路。     

基于VA与FOS的专利规避方法设计

为突破专利壁垒,利用现有专利技术快速衍生出新的专利方案,研究了可有效规避侵权的系统化专利规避方法。通过需求-目标-功能分析模型寻求创新设计方向,经过检索及数据清洗得到目标专利群,利用专利价值评价方法来得到高价值度的目标专利,然后通过TRIZ理论功能树建立目标专利的结构-功能模型,寻找并分析问题组件,针对问题组件利用改进后的功能导向搜索方法进行创新设计,经过侵权判定得到新的专利方案。通过将价值分析(Value Analysis, VA)和功能导向搜索(Function Oriented Search, FOS)相结合,形成了一种新的专利规避设计模型,应用此方法对药品包装机械进行了创新设计案例分析,验证了此专利规避方法的有效性。     

中厚煤层工作面停采线切顶卸压护巷技术应用研究

为解决矿井采区巷道或大巷受工作面回采动压影响后维护困难的问题,以和谐煤业15103综放工作面为工程地质背景,通过理论分析工作面超前支承压力分布特征,提出采用爆破切顶卸压的方式消除或减弱超前支承压力的传递路径,起到保护采区巷道的作用。结果表明：影响采区巷道稳定的关键是“大结构”下的关键岩层,即为切顶高度;采用直径为48 mm的O型聚能管,炮孔长度为33～81 m,线装药密度为1.0 kg/m;15号煤采区胶带巷两帮移近量89 mm,顶底板移近量110 mm。现场应用效果良好,提出的爆破切顶卸压对采区巷道起到保护作用,可为今后类似地质条件下的工程实施提供技术借鉴。     

蒸发冷却技术在大功率模块冷却中的应用

以特殊场合电力电子变流装置中器件的冷却为出发点,详细论述了蒸发冷却技术在一套800kVA变流装置中的应用,给出了其运行原理、实现方法和试验数据。现场调试运行结果表明,该套装置具有体积小、安全可靠、冷却效率高等特点。同时,由于去掉了风机,降低了噪声,而且基于蒸发冷却本身的特点,使得该套装置中的器件(IGBT)壁面温度不受外界环境的影响,保持在45℃左右(可通过改变腔体内部的压力来调节)。整个装置运行取得了较好的冷却效果,满足了特殊场合的需要,从而为大功率器件的冷却提供了一种有效的实现方法,具有较好的应用和推广价值。     

用于金融双界面芯片的高精度低功耗稳压电路

金融双界面应用中,LDO(Low-dropout Regulator,低压差线性稳压器)为片内数字电路及主要模拟电路提供电源,高精度LDO可以保证数字电路及主要模拟电路工作状态及功耗稳定.为了提高金融双界面应用中LDO输出电压的精度,提出了一种LDO参考电压上电切换电路.在高压电源下设计一个不精准的BG(Bandgap带隙基准)仅用于启动过程,设计一个高精度BG在LDO的输出电压下工作.上电时,LDO首先使用高压电源域下BG的参考电压,保证整个启动过程顺利完成,同时关断POWER管,使低压工作下的电路不受上电过冲的影响,当LDO及高精度BG完成启动过程之后,将LDO的参考电压切换至高精度BG.测试结果显示,LDO输出电压的随机失调有效减小,由传统结构的±7％左右下降到±3.69％,并且能够减小芯片面积.     

斜率鉴频器的仿真分析

本文介绍了斜率鉴频原理,利用Multisim构建了单失谐回路斜率鉴频器仿真电路并进行了分析,分析结果表明此电路的输出信号波形有很大的失真,介于此提出一种改进电路,设置合适的参数,失真大大减小了。     

Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟

用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效.     

基于分段电容阵列的改进型逐次逼近型ADC

为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR)ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构。该结构一方面可以缩短产生高位数码字过程中的转换时间,提高量化速度;另一方面其可以延长大电容的稳定时间,减小参考电压的负载。通过缩小比较器输入对管的面积以减小寄生电容带来的误差,提升高位数字码的准确度。同时,利用一次性校准技术减小比较器的失配电压。最终,采用180 nm CMOS工艺实现该10 bit SAR ADC,以验证该改进型结构。结果表明,在1.8 V电源电压、780μW功耗、有电路噪声和电容失配情况下,该改进型SAR ADC得到了58.0 dB的信噪失真比(SNDR)。