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101.
针对当前企业产品快速开发和创新设计的要求,构建了具有误差分析与检测功能的集成逆向工程系统框架。通过对所存在的误差进行分析,以便对整个系统进行实时的闭环的检测和修复。在分析系统框架的基础上,提出两个不同的误差求取方案并简化了相应的误差模型,同时给出了模型配准算法。通过两个具体案例,展示了不同方案的模型配准过程。 相似文献
102.
一种构建StreamCube的超大维表连接算法 总被引:1,自引:0,他引:1
表连接是关系数据库中最重要的操作之一,在数据流管理系统中同样重要.构建StreamCube的聚集查询时,数据流与超大维表(如IPaddress维表)作表连接将耗费大量有限的计算资源和内存.超大维表需划分为多个块,分块读入内存,造成磁盘IO频繁.根据维表及其连接键层的特性,降低维表与数据流连接的连接键冗余,将维表无损压缩为可装入内存的连接键范围维表(RJ-DT),引出数据流上非等值连接问题;并提出一种超大维表多表连接算法——多动态索引嵌套循环连接算法(multi dynamic index nested-loop join),该算法实现数据流与压缩维表高效的非等值连接,并拓展为多表连接.理论分析及实验结果表明,该算法可使超大维表连接性能明显改善,最高可达到一个数量级的加速并具有很强的实用性. 相似文献
103.
采用氢核磁共振(1H nuclear magnetic resonance,1H NMR)代谢组学技术对酸枣仁、理枣仁以及不同比例的掺伪粉末进行对比,结合多元统计分析建立一种快速鉴别酸枣仁粉末及其掺伪品的方法。主成分分析显示掺伪比例较低的样品与酸枣仁有部分的重叠。偏最小二乘法-判别分析(partial least squares-discriminant analysis,PLS-DA)显示,当掺伪比例不低于40%时,酸枣仁粉和掺伪品沿t[1]轴完全分开。在此基础上,采用PLS对酸枣仁及其不同掺伪比例粉末样品训练集数据进行回归分析,并建立掺伪判别模型。1H NMR与PLS相结合的模型预测结果准确性较高,可实现酸枣仁中理枣仁掺假的快速鉴别。该方法为酸枣仁及含酸枣仁的保健食品、复方制剂质量评价提供了一条新途径。 相似文献
104.
105.
浅议电站锅炉受热面安装质量控制要点 总被引:1,自引:0,他引:1
李爱平 《现代制造技术与装备》2011,(4):42-43,54
锅炉本体受热面设备多,结构复杂、重量大,是锅炉设备安装的主要内容。受热面设备安装的质量控制,对锅炉安装整体质量起到很重要的作用,本文笔者结合多年电站锅炉设备安装施工实践,依照相关标准规范,从技术的角度详细分析阐述了大型火电厂锅炉受热面安装过程中几何尺寸找正、强制性条文执行、膨胀间隙预留、验收程序等锅炉受热面安装检测与精度控制措施,并就相关问题提出了自己的建议和主张。 相似文献
106.
107.
为了解决传统顺序作业方式下,双深度多层穿梭车仓储系统存在的系统响应时间长和作业效率低等问题,在分析提升机和穿梭车并行作业的基础上,提出该类仓储系统的分离—聚合排队网络模型,并设计基于Cox-ian分布的近似分解算法进行求解.构建基于分离—聚合点的闭环排队网络模型,将各服务点的一般分布用Cox-ian分布替代,进而求解分离—聚合点的吞吐率;用单个服务点替代分离—聚合点,得到基于分离—聚合点的开环排队网络模型,并采用最大熵值法求解,得到系统性能指标.以实际案例的4种配置进行分析验证,结果表明所提模型可以较大幅度提升双深度多层穿梭车仓储系统的性能和作业效率. 相似文献
108.
网络联盟制造中的知识供应 总被引:2,自引:0,他引:2
一、知识供应链的概念知识供应链是将工业企业、大学和科研机构的各自知识优势加以集成和系统化,以便为企业提供能够提高效益和创新能力的信息和方法.新的知识是唯一能够保持企业可持续发展和竟争优势的资源,它是技术创新、提高生产力和满足顾客需要能力的基础.因为知识像原材料被用于制造产品一样,也是一种可转移的生产要素.知识在生产过程中有效地加以应用时,其价值也会不断增值.如图1所示. 相似文献
109.
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为高性能电力电子技术提供了技术保障,其短路承受能力是进一步提升电力电子变换器可靠性的关键;特别是在大功率场合,经常将SiC MOSFET并联使用,然而影响并联SiC器件短路振荡的关键因素并不十分明确,振荡机理有待进一步研究。此处以并联SiC MOSFET为研究对象,建立在短路工况下的等效数学模型,分析影响并联短路特性的关键因素并进行实验验证,归纳短路振荡机理。理论分析与实验结果表明,当并联SiC MOSFET发生短路故障时,栅极驱动电阻和功率回路杂散电感是导致器件并联系统振荡的主要因素,过小的栅极驱动电阻使得并联系统振荡频率和尖峰增大;过大的功率回路杂散电感导致系统振荡频率降低,而振荡尖峰增大,系统的剧烈振荡不利于SiC MOSFET稳定性提高。 相似文献
110.