双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体激光器寿命预测方法

高可靠性已成为大功率半导体激光器实用化的重要指标之一,而寿命预测是大功率半导体激光器可靠性评估的首要环节。文中提出了一种双应力交叉步进加速退化的试验方法,对830 nm F-mount封装的大功率半导体激光器进行了四种不同的双应力条件A[22℃,1.4 A],B[42℃,1.4 A],C[42℃,1.8 A],D[62℃,1.8 A]下的电流-温度交叉步进加速退化试验研究,对光输出功率退化轨迹进行拟合,按照80%功率退化作为失效判据,结合修正后的艾琳模型和威布尔分布外推得到器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF)为5 811 h。文中给出了完整的加速退化模型建立过程与详细的外推寿命计算方法,并对模型进行了准确性检验,误差不超过10%。该方法相比单应力恒定加速试验方法,可以大幅度节约试验时间和试验成本,这对于大功率半导体激光器的自主研制具有重要的指导意义。     

基于不同晶粒尺寸的PVDZnSe红外光学材料制备工艺研究

ZnSe以其优异的光学性能与机械性能,一直是光学零件的首选材料之一。光学窗口、光学透镜等光学零件的制作成本很大程度上取决于光学材料的可加工性,加工成本占制作总成本的50%以上。从微观结构上来看,光学晶体材料的可加工性又与晶粒尺寸相关。文中采用物理气相沉积（PVD）法制备了PVDZnSe红外光学材料,并从沉积温度与原料性能两个方面研究了PVDZnSe制备工艺对其晶粒尺寸和可加工性的影响。研究表明:在920、960、1 000 ℃三个温度条件下,随着沉积温度升高,PVDZnSe材料晶粒呈现增加的趋势,其尺寸范围分别为20~180 μm、300~2000 μm和1 200~2 800 μm。在相同工艺参数条件下,选用粒径分别为2~10 μm、10~20 μm和300~2 000 μm的三种ZnSe原料制备PVDZnSe。随着原料ZnSe晶粒尺寸的增加,所得PVDZnSe的晶粒尺寸显著增大。结果表明,随着晶粒尺寸增加,脆性指数也相应增加,即PVDZnSe可加工性能在逐渐变差。研究还发现,在一定的晶粒尺寸范围内,材料的透过率差别不大,在2~14 μm波长范围内,PVDZnSe材料的平均透过率均能达到70%以上。该研究为PVDZnSe材料在光学零件领域的应用提供了实践经验和有力的技术支撑。     

热交联三苯胺类空穴传输材料的合成、性能及在OLED中的应用

本文首先对热交联三苯胺类空穴传输材料的合成进行分析,并对热交联三苯胺类空穴传输材料的性能进行探析,并对其在OLED中的应用进行探讨。     

220 kV复合绝缘子芯棒击穿故障分析

针对一起220 kV复合绝缘子芯棒击穿故障,对击穿绝缘子及同塔的其他绝缘子进行了外观检查、试验检测,综合分析了复合绝缘子芯棒击穿原因,并提出了复合绝缘子运维工作建议.结果表明,绝缘子芯棒内部粘接不良,在运行环境等综合作用下导致绝缘子芯棒开裂、击穿;建议对该地区其他厂家运行时间接近或运行时间更长的复合绝缘子进行无人机红外特巡.     

LD泵浦的全固态激光器的单频实现方法

由于“绿光问题”的存在,使得全固态腔内倍频激光器的应用备受限制。本文详细分析了用单纵模法实现全固态腔内倍频激光器单频输出的各种方法和实验装置。     

220kV同塔双回线路终端塔避雷器试验分析

电网中线路避雷器故障屡有发生,直接影响线路安全运行.对某220 kV同塔双回线路终端塔避雷器进行了测试及解体分析.试验结果表明,避雷器直流1 mA参考电压、密封性能符合标准要求,局部放电测试未发现明显放电信号,解体后避雷器内部未发现异常放电痕迹,判断Ⅰ回线路避雷器爆炸为避雷器个别性内部缺陷造成,Ⅱ回线路故障放电并非避雷...     

CO2焊接电流波形的模糊控制

根据减少CO     

混凝土建筑3D打印计算机模拟研究综述

总结了国内外混凝土建筑3D打印计算机模拟研究现状,介绍了计算机模拟技术在建筑3D打印性能以及流动性、堆积性和形态检测中的应用情况,并对计算机模拟技术在建筑3D打印中的应用进行了展望。     

基于设计伦理的AI绘画视觉设计研究

对AI绘画的起源、发展及其在艺术设计领域的应用进行综述,探讨AI绘画与设计伦理之间的关系,并进行设计伦理理论指导下的AI绘画创新应用。