红外测量切削温度

研究切削加工的人都对切削温度的测量极感兴趣,那是因为切削温度直接影响刀具磨损和耐用度,影响工件的加工精度、表面质量以及经济性。但是传统的测量方法——热电偶法却存在一定的局限性,因此,近年来国内外都在认真研究红外测温技术。下面就红外测温     

基于AVR的多点文件柜状态监测系统的设计

AVR单片机具有高可靠性、高性能、低功耗等特点,被广泛应用于工业控制之中。针对1024个密集文件柜状态监测问题,自主研发了以AVR单片机为核心的状态监测系统,实现对文件柜内有无存放物体以及何种物体进行管理。本系统包括文件柜状态检测、数据采集、ModBus通信、上位机组态等部分。本系统结构简单,稳定性、可靠性高,成本较低,具有很高的应用推广价值。     

超薄四面体非晶碳膜的结构和性能

使用磁过滤阴极真空电弧(FCVA)技术制备不同厚度的超薄四面体非晶碳膜(ta-C)，研究了表征和测量超薄ta-C碳膜微观结构和性能的方法以及膜厚的影响。使用X射线衍射仪验证椭圆偏振光谱仪联用分光光度计表征膜厚度的可靠性并测量了膜密度；用拉曼谱分析薄膜的内在结构，验证用椭偏联用分光光度计表征sp³ C含量的可靠性；用Stoney^，s公式计算了薄膜的残余应力。结果表明，薄膜的厚度由7.6 nm增大到33.0 nm其沉积速率变化不大，为1.7±0.1 nm/min；根据椭偏联用分光光度计的表征结果，薄膜中sp³ C的含量逐渐减少，拓扑无序度降低，与拉曼谱的表征结果一致；厚度为7.6 nm的超薄ta-C碳膜中p³ C的含量最高；随着厚度的增大薄膜中的残余压应力从14 GPa降低到5 GPa；厚度为11.0 nm的薄膜主体层密度最大，为3070 kg/m³，致密性较好；厚度对薄ta-C碳膜表面粗糙度的影响较小。用椭偏和分光光度计测量超薄ta-C碳膜的厚度和表征显微结构是可行的，X射线反射法可用于测量超薄ta-C碳膜密度和表面粗糙度，但是对薄膜的质量要求较高。     

石蜡基变压器油析气性改进研究

析气性是特殊变压器油关键性能之一,文章研究了烷基苯、合成酯、A和B四种物质及其用量对石蜡基变压器油析气性改进效果的影响。结果表明:相同加量下B的改进效果最优,其次是A、烷基苯和合成酯。0.3%B和10%烷基苯复合使用时不仅显著改善石蜡基变压器油的析气性能,且其他性能完全满足GB 2536-2011的指标要求。     

烧结法制备金矿尾砂CaO-Al_2O_3-SiO_2微晶玻璃及其性能研究

以汉阴金矿尾砂、方解石为主要原料,硼砂、ZnO、Sb2O3、Na2SiF6等为辅助原料,采用烧结法制备CaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃。通过差热分析、X射线衍射及扫描电子显微镜对所制备微晶玻璃样品的热性能、物相组成及微观结构进行表征,并分析不同烧结温度和保温时间对所得样品性能的影响。结果表明:在950℃,保温3h的条件下,所得微晶玻璃样品的性能较好,主晶相为透辉石(CaMgSi2O3)和钙长石(CaAl2Si2O8),其热膨胀系数、抗折强度及密度分别为65.4×10-7/℃,166MPa,2.623 8g/cm3。     

焊锡真空脱铅炉自动报警系统研制报告

为了巩固和扩大焊锡真空脱铅炉研究工作已经取得的进展,予报一些可能导致冶炼过程中断甚至损坏设备的故障,指示操作人员适时加以处理,确保真空炉的连续生产,我们研制了真空炉的自动报警系统。整个系统包括三个报警装置,即:出铅管保温炉电炉丝断丝报警装置;冷却水报警装置和真空度不足报警装置。在一年多的研制过程中,经过反复试验和改进,以确保其工作的可靠性。该报警系统制成以后,经过长期通电试验,证明性能是良好的,现已正式安装在现场运行。     

三相流化床除CO_2研究

三相流化床除CO_2器(TBD)是一种新型的除CO_2器。用三相流化床作为除CO_2器的研究工作,国内外均未见报导。本文初步探讨了气体速度、喷淋密度、床层静止高度、填料球密度,单个填料球表面积对三相流化床除co_2器的床层压降、床层膨胀高度,出水CO_2含量、脱吸效率、传质系数K_L值的影响。三相流化床除CO_2器与固定床除co_2器相比、在达到同样出水水量和水质条件下,填料高度由3[m]降到0.05～0.1[m],装置直径为固定床的1/2。     

模块化多电平变换器分数阶PIl环流抑制策略

模块化多电平变换器(modular multilevel converter, MMC)内部环流增加系统功率损耗,加剧桥臂电流畸变。针对传统PI环流控制器存在鲁棒性较差、控制精度有限等问题,将分数阶PI? 控制器应用于MMC环流抑制。首先,对MMC工作特性进行分析,阐述环流产生机理。其次,研究分数阶PI? ?控制结构,并设计MMC分数阶PI? 环流抑制策略。然后,采用经典频域法优化分数阶PI? 控制器参数,并对分别采用传统PI和分数阶PI? 控制器的系统环流控制性能进行对比分析。最后,在相同条件下,通过对采用上述两种环流抑制策略的MMC系统,分别在电源扰动、直流侧电压阶跃和三相不平衡工况下进行仿真研究。结果表明,分数阶PI? 环流抑制器的抗电源扰动性和环流抑制能力均优于传统PI环流抑制器,更适用于MMC此类的非线性系统的控制。     

并网逆变器超高次谐波产生与传播机理分析

超高次谐波是新能源发电技术中不可忽略的新型电能质量问题,并网逆变器作为典型超高次谐波源受到广泛关注。为揭示超高次谐波产生与传播机理特性,文中首先对正弦脉冲宽度调制(sinusoidal pulse width modulation,SPWM)下的逆变器超高次谐波产生机理进行分析,发现逆变器产生的超高次谐波主要分布在开关频率整数倍附近,且可以等效为电压源,同时对造成该电压源变化的影响因素进行理论分析。然后,建立包含逆变器、滤波器以及网侧阻抗的超高次电路模型,并推导超高次谐波发射电流的数学表达式,在此基础上通过控制变量法探究多逆变器并联时容量和台数对超高次谐波传播特性的影响。最后,在Simulink中进行仿真实验。结果表明,并网逆变器超高次谐波主要受直流侧电压与调制比影响,多逆变器并联运行时超高次谐波的发射强度与容量成正比,验证了文中对并网逆变器超高次谐波理论分析的正确性。