基于Delta RCS的RFID标签天线方向图测量方法

RFID标签天线方向图是RFID标签的一项重要性能指标。由于标签没有标准的接口进行馈电,很难采用传统的天线测量方法测量标签天线方向图。基于RFID标签的双站散射原理和雷达截面差值(ΔRCS)概念,提出了一种新的测试方法,可以对封装好的商业标签进行天线方向图测量。通过对一种商用超高频标签进行实测与仿真,证明两者的结果具有很好的一致性。     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.     

一种低电压3阶4位前馈Σ-Δ调制器

介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环Σ-Δ调制器。为了降低Σ-Δ调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果显示,当工作电压为1.2 V、采样频率为64 MHz、过采样比为16、信号带宽为2 MHz时,电路的SNDR达81 dB,功耗仅为7.78 mW。     

14 Gb/s高速串行接口发送端电路设计

介绍了一种采用SMIC 65 nm CMOS LL工艺、工作在14 Gb/s的高速串行接口发送端电路。该电路主要由多路复用器、时钟分布电路和连续时间线性均衡器组成。低速复用器由数字电路构成,节约了功耗;高速复用器采用电流型逻辑电路结构,提高了工作速度。线性均衡器具有较高工作频率和较低功耗,并能够提供适当的高频补偿。重点分析了数据和时钟信号之间的时序问题,并使用改进的时钟链路,保证电路在工艺、电源电压和温度变化时能正常工作。仿真中引入焊盘、键合线及PCB走线模型,模拟电路的实际工作情况。仿真结果显示,发送端电路能工作于14 Gb/s;在1.2 V电源电压下,功耗为80 mW;当输出信号经过10 cm的RLGC传输线后,50 Ω负载上接收到的信号眼高为427 mV,抖动为4 ps。     

WiMAX/LTE射频收发机中低功耗VCO的设计

采用互补型交差耦合结构,设计了一个可工作于WiMAX(IEEE 802.16e,2.469~2.69 GHz)和LTE(2 496~2 690 MHz)无线射频收发机的压控振荡器(VCO)。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺对VCO电路进行设计及仿真。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为1.44 mW,振荡频率变化范围为2.43~2.69 GHz,可调范围约为10.15%,相位噪声为-120.4 dBc/Hz@1 MHz,FOM为-186.9,满足WIMAX/LTE无线通信系统的要求。     

基于TCAD的45 nm CMOS器件温度特性模拟

基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45 nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45 nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文件对比表明,在25 ℃~127 ℃范围内,45 nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性。     

一种用于VCO供电的低噪声LDO

设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为－70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为－47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为－27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。     

MEMS刻蚀工艺仿真模型及研究进展

随着计算机技术和微机电系统发展的需要,微加工刻蚀工艺的计算机模拟得到了飞速发展。综述了微加工刻蚀工艺的研究现状以及几种典型的工艺刻蚀仿真方法,分析了各种方法的优势和不足;重点介绍了在基于各向异性刻蚀方面应用广泛的元胞自动机法(CA),分析其优势所在,并阐述了CA模型的基本原理、发展变化和研究应用。     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。     

一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计

基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。