具有APD-TIA光模块的饱和光功率偏低研究

GPON ONU用光接收模块的光接收灵敏度和饱和光功率分别要求-28dBm和-8dBm。测试表明,具有2.5Gb/s APD-TIA光接收模块在25℃和85℃下接收光灵敏度和饱和光功率一般没问题,但在-40℃下,部分模块饱和光功率低于-8dBm。分析指出,饱和光功率偏低,主要与APD的结构、温度特性以及TIA、AGC性能有关。     

振冲法对多层软弱坝基的处理

汤浦水库系我省水利工程首例采用振冲法处理多层软弱坝基的工程。本文介绍振冲法的概况及应用发展前景，说明采用振冲法加固处理可增加坝基抗滑稳定性，提高填筑速率，达到变形协调的效果，通过该工程实践，可为大中型水利工程应用振冲法积累经验。     

基于Liu混沌系统同步的图像保密通信研究

分析了Liu混沌系统的特性,讨论了一种观测器同步设计方法.首先对响应系统状态进行重构,然后通过极点配置方法,实现两个混沌系统的状态渐进同步,并通过数值仿真对理论分析加以验证.提出利用Liu混沌系统同步进行图像保密通信的方法,在发送端利用Liu混沌信号掩盖坐标变换后的数字图像信号,在接收端能准确地恢复原始图像信号.仿真结果表明了提出的图像保密通信方法具有很好的保密性.     

EFI及其安全性研究

为了解决传统PCBIOS的局限性及其面临的问题,Intel公司提出了可扩展固件接口(EFI)的规范标准。作为下一代BIOS,EFI为启动操作系统前的程序提供了一个标准环境。文中详细介绍了EFI,指出EFI存在的一些安全问题,并分析相关的安全机制,指出了实现EFI安全必须考虑的因素。     

一种适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路

设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28(10-6K-1的温度系数,在(V=10V的宽电源电压幅度范围作用下,具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比.     

一种红外屏电路的驱动电流自适应调节方案

本文分析了现有红外触摸屏寿命较短的原因,提出了一种驱动电流自适应调节的红外触摸屏电路结构以及自适应调节方法,同时给出了坐标归一化计算方法。本文提出的方法能够根据接收信号的强弱对红外发光管驱动电流进行补偿,采用此项技术设计的红外触摸屏电路具有较强的抗干扰能力,其使用寿命也大大延长。     

基于可调电荷泵的双模式高压开关控制器

为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于可调电荷泵的用于TFT-LCD液晶显示的片内双模式高压开关控制器,该控制器能减小液晶显示功耗,减少栅走线和液晶面板之间的耦合效应,其输出延时和下降斜率可调并输入到栅驱动器中,从而避免液晶显示设备错误的显示。该基于可调电荷泵的高压开关控制器的芯片已在UMC0.6μm-BCD工艺线投片,电荷泵输出可调电压范围为10～30V,测试结果证明,高压开关控制器电路工作良好,其面积为0.32mm2,静态电流小于3μA。     

嵌入式USB功率控制器的设计

针对目前大多数系统级芯片对多电源供电的要求,设计了一款嵌入式通用串行总线(USB)功率控制器,并对该控制器进行了理论分析.其中主要阐述了电路内部自动进行电流采样和限流电路的工作原理及实现方法.USB功率控制器严格地将输出电流限制为500 mA/100 mA.在CSMC 0.5 μm CMOS工艺上,利用Cadence仿真平台进行验证,结果表明,在所有条件下,从USB总线吸收的电流均受到精确的限制,仿真结果符合理论分析.     

FDP FPGA芯片的设计实现

研究了新型的FDP FPGA电路结构及其设计实现.新颖的基于3输入查找表的可编程单元结构,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约11%的逻辑利用率;独特的层次化的分段可编程互联结构以及高效的开关盒设计,使得不同的互联资源可以快速直接相连,大大提高了可编程布线资源效率.FDP芯片包括1600个可编程逻辑单元、160个可用IO、内嵌16k双开块RAM,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺全定制方法设计并流片,其裸芯片面积为6.104mm×6.620mm.最终芯片软硬件测试结果表明:芯片各种可编程资源可以高效地配合其软件正确实现用户电路功能.     

一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计

设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.