基于VxWorks的EPON网络管理系统的设计与实现

提出了一种电信级的EPON网络管理系统设计方案,给出了该方案的系统框架与功能实现方法,重点阐述了核心功能模块的实现流程,最后通过Tornado环境下的仿真与调试验证了方案的可行性.     

激光-等离子体相互作用过程中光子加速的研究

为了研究激光-等离子体相互作用过程中的光子加速(光子频率上移),采用数值模拟方法进行了理论计算和数值计算验证,取得了光子加速的重要计算机模拟结果。结果表明,等离子体激光相互作用过程中的光子频率上移与所用的激光脉冲形式和脉冲宽度有关,存在最佳脉冲宽度和脉冲上升宽度,还存在等离子体电子密度上限。这一结果对进一步研究激光等离子体粒子加速有帮助。     

宽带小型化高隔离度SPDT开关的研制

微波开关是微波控制电路中的基本部件,是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能元件,它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。在此通过合理的电路布局和结构设计,结合微组装工艺,实现了在3～12GHz范围内,插入损耗小于3．2dB,隔离度大于70dB,整体尺寸小于20mm×15mm×10mm的一种宽带小型化SPDT开关。     

一款灌入/拉出3A电流跨导驱动快速瞬态响应低漏失稳压器

本文设计了一款可以灌入(sink)和拉出(source)3A电流,低电源、低功耗的CMOS低漏失电压线性稳压器。采用电流镜像结Gm(跨导)驱动的LDO架构可以获得高稳定性和快速负载瞬态响应。基于UMC 0.5um标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为1.0mm2。空载时该LDO静态电流为220uA,最大带载3A。测试表明,使用30uF陶瓷电容,在-1.8A到 1.8A 0.1us负载跳变时,该LDO可以在低于2us的时间达到稳态,且过冲小于1mV。     

电介质粗糙表面光散射特性

为了研究电介质随机表面散射特性的物理产生机制,采用基于Kirchhoff近似的Monte-Carlo方法进行了数值计算,得到了一组不同粗糙程度的电介质随机表面在s线偏振光入射时的散射光强度空间分布.所有表面自相关长度相同.结果表明,随均方根高度的增加,散射光强度空间分布呈现峰值衰减、展宽和向后向移动的特征.对这些散射特...     

新型单刀四掷通道功率合成发射机

给出一种新型的通道功率合成式单刀四掷开关型(SP4T)发射机,利用两级通道功率合成技术,通过小功率开关的控制,使得高功率射频信号可以在四个方向中的任意一个方向带载切换。这种新型发射机具备带载热切换能力,使得发射机具备传统发射机所没有的高功率高速切换和高可靠性特点。     

高多层Mini型金属化边PCB制作技术研究

多层Mini型金属化边PCB作为印制电路板的一种特殊产品,在电子元器件向轻、薄、短、小的发展要求下,而得到广泛应用。然而此类PCB在实际生产过程中仍有一些与普通PCB板制作的不同点。Mini型金属化边,顾名思义,就是指成品尺寸在30 mm×30 mm以下,且板边有小于6 mm长度的电镀金属化边,并且整个PCB的成型尺寸也十分小,没有定位孔,制作难高十分高,需要就包括制前设计、过程控制、成品铣板和成品尺寸测量等问题进行综合考虑。针对多层金属化边Mini型PCB的特征,从设计方法进行了详述,并对其制作技术难点分别提出了解决方案。可帮助读者清晰的了解此类产品的特性和制作方法,以为业者提供一些可以借鉴的行业经验。     

极限尺寸 索尼高清Handycam HDR-TG1E

从索尼(SONY)Handycam HDR-TG1E 相关消息公布以来,注定就会吸引众多数码玩家和时尚人士的目光,这不仅仅源于它采用超小巧的立式机身,更因为其高清拍摄以及完善的辅助功能。完美一点点,方能更讨人喜欢,这就是爱恋 TG1E 的原因。     

FDP FPGA芯片的设计实现

研究了新型的FDP FPGA电路结构及其设计实现.新颖的基于3输入查找表的可编程单元结构,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约11%的逻辑利用率;独特的层次化的分段可编程互联结构以及高效的开关盒设计,使得不同的互联资源可以快速直接相连,大大提高了可编程布线资源效率.FDP芯片包括1600个可编程逻辑单元、160个可用IO、内嵌16k双开块RAM,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺全定制方法设计并流片,其裸芯片面积为6.104mm×6.620mm.最终芯片软硬件测试结果表明:芯片各种可编程资源可以高效地配合其软件正确实现用户电路功能.     

嵌入式USB功率控制器的设计

针对目前大多数系统级芯片对多电源供电的要求,设计了一款嵌入式通用串行总线(USB)功率控制器,并对该控制器进行了理论分析.其中主要阐述了电路内部自动进行电流采样和限流电路的工作原理及实现方法.USB功率控制器严格地将输出电流限制为500 mA/100 mA.在CSMC 0.5 μm CMOS工艺上,利用Cadence仿真平台进行验证,结果表明,在所有条件下,从USB总线吸收的电流均受到精确的限制,仿真结果符合理论分析.