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31.
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...  相似文献   
32.
提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法.通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5 μm.该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻.  相似文献   
33.
利用射频磁控溅射在c面单晶蓝宝石(Al2O3)衬底上制备Ga2O3薄膜,研究了溅射过程中通入氧气与氩气的体积流量比对经过异位高温后退火处理得到的β-Ga2O3薄膜特性的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表征,结果表明β-Ga2O3薄膜沿着■晶面择优生长,具备较好的单一取向性。在氧氩体积流量比约为1∶20时,薄膜的结晶性能相对较好、表面晶粒分布较均匀、均方根粗糙度较小、晶粒尺寸较大。此外,吸收光谱表征结果表明,不同氧氩体积流量比下制备得到的β-Ga2O3薄膜的带隙变化范围为4.53~4.64 eV,在较低氧氩体积流量比下制备的β-Ga2O3薄膜表现出较优的光学性质,在波长200~300 nm内具有较好的吸收特性,表现出良好的深紫外光学特性。  相似文献   
34.
基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明:在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。  相似文献   
35.
实现同步整流能够有效提高次级整流效率,并且有利于实现电源模块的小型化.将同步整流器中的控制电路和整流桥分别制作在两层芯片上,然后堆叠两层芯片并通过TSV实现层间信号互连,不仅能进一步提高集成度,还能有效降低引线延迟和功耗.设计了一种大功率同步整流器,仿真实现了输出电压为5V、最大输出电流为13.38A、输出电压和输出电...  相似文献   
36.
针对传统的三极管版图具有电流集边效应,本文提出了一种具有独特版图结构的开关管的大电流输出的DC/DC转换控制电路结构,能够大大增强电路的驱动能力。其结构主要包括:比较器,基准电压发生器,占空比可控的振荡器,RS触发器以及大电流输出开关电路。振荡器是由RC电路和比较器组成,为RS触发器提供锯齿波信号,RS触发器另一端信号由比较器提供,通过RS触发器控制大电流输出开关电路,故可添加简单的外围器件搭成升压电路。本设计采用中科渝芯40 V的双极型工艺,实测显示输出管的饱和压降在1.3 V以下时,其最大输出电流可以达到2 A。  相似文献   
37.
A new semi-insulation structure in which one isolated island is connected to the substrate was proposed. Based on this semi-insulation structure, an advanced BCD technology which can integrate a vertical device without extra internal interconnection structure was presented. The manufacturing of the new semi-insulation structure employed multi-epitaxy and selectively multi-doping. Isolated islands are insulated with the substrate by reverse-biased PN junctions. Adjacent isolated islands are insulated by isolation wall or deep dielectric trenches. The proposed semi-insulation structure and devices fixed in it were simulated through two-dimensional numerical computer simulators. Based on the new BCD technology, a smart power integrated circuit was designed and fabricated. The simulated and tested results of Vertical DMOS, MOSFETs, BJTs, resistors and diodes indicated that the proposed semi-insulation structure is reasonable and the advanced BCD technology is validated.  相似文献   
38.
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过sil-vaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。  相似文献   
39.
该文基于40 V耐压BJT工艺,利用电荷泵原理设计了一种DC/DC电压转换的电路。该电荷泵式转换电路使用电容器完成能量的传输与电压的转换,在实际电路中由一对开关电路与一个外部电容来实现对输入电压进行反相的电路功能。仿真结果表明,该电路在工作电压为8~20 V时,可提供-19~-7 V的输出,输出电流为10 mA,在1μF负载电容的情况下,输出纹波为43 mV,该电路采用双极型工艺,具有不易产生闩锁效应的优点,在应用时,外部组件少且无需电感,并能保证纹波在合理的范围内,可广泛应用于线性器件、放大器供电、电池分配器等电路中。  相似文献   
40.
随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求.FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用.主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构.最后结...  相似文献   
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