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为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响。对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量。对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触。对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属。因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善。 相似文献
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<正>随着物业低端业务的社会化外包,如今的德律风物业已孕育形成上、中、下游三大业务板块,即物业经营、物业管理和物业服务,由此形成集约经营新模式。新的经营模式对从业人员素质提出了更高要求。然而,由于德律风脱胎于企业后勤,许多员工属于"半路出家",年龄普遍偏大,专业知识匮乏,这种情况曾一度成为阻碍公司业务经营拓展的制约瓶颈。于是,公司从现有的 相似文献
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研究间歇高压反应釜中聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)以醋酸铜为催化剂在亚临界水中的解聚反应.主要考察反应时间(10-50min)和反应温度(493~553 K)对PBT解聚率以及产物产率的影响.反应产物分别采用气相色谱、气-质联用仪、傅里叶红外光谱、高效液相色谱和液-质联用仪进行分析,主产物为对苯二甲酸(TPA)和四氢呋喃(THF),产物中并未检测出1,4-丁二醇,与相关文献的研究结果不同.实验结果表明:PBT的解聚率随温度的升高、反应时间的延长而增加.在投料比8∶1(24.0g H2O/3.0 g PBT),催化剂醋酸铜0.03 g/3.0 g PBT,反应温度523K,时间50 min条件下,PBT可完全解聚,TPA和THF的产率分别为99.3%和83.1%.根据PBT在亚临界水中催化解聚产物的分析,提出PBT催化水解反应机理.通过实验数据关联,得出催化解聚反应级数为一级,反应活化能为141.6 kJ·mol-1.在微型毛细管反应器中结合显微镜研究了PBT在醋酸铜水溶液相态变化,温度上升至553 K停留19 min后PBT能完全溶解于水中,解聚反应在液相均相中进行. 相似文献
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256×2碲镉汞焦平面模块由2个256×1元芯片和2个光伏信号硅读出电路模块平行对称组成,并分别与2个不同波段的微型滤光片以架桥式结构直接耦合后封装在全金属微型杜瓦内,形成了长波256×2长线列碲镉汞红外探测器件组件。基本解决了256×2焦平面杜瓦组件的关键技术,即高精度的组装技术、器件在冷平台上的热失配设计技术和高可靠性封装技术。对抑制杂散光、降低背景辐射、提高组件的可靠性等方面采取了一系列措施,使研制的碲镉汞焦平面器件获得了良好的性能,并进行了一系列空间适应性实验,实验前后的组件性能未发生明显变化,满足工程化应用的要求。 相似文献
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采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6~5.3 μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流. 相似文献