无线耦合信号传输天线的设计和阻抗匹配

在无法直接接触测量信号的场合,采用无线耦合方式进行信号传输与测试,对无线耦合信号传输天线进行参数设计,通过ADS软件对电感为4μH、中心频率为7.812 MHz的天线阻抗匹配设计进行仿真,搭建阻抗匹配电路,比较匹配前后天线端测试信号变化,优化天线阻抗匹配网络.     

基于光电离原理的挥发性有机化合物检测器的设计

利用集成了A/D转换器、CAN控制器以及D/A转换器的高性能单片机C8051F040为控制核心,设计了一种基于光电离原理的用于检测挥发性有机化合物的气体检测器。该检测器的电离室主要是由3个绝缘片叠加而成,其中安放3个电极片用来提供偏置电场和收集离子,从而产生微电流;微弱信号检测电路选用高精度运算放大器ICL7650作为前置放大器,将微电流转化成电压并放大,从而便于单片机采集。该检测器具有携带方便、测量范围宽、检测精度高、检出限低、响应快等特点,可以满足作业现场的实时连续检测。     

无源压力传感器Q值对信号传输性能的影响(英文)

为了解决无源压力传感器的无线信号传输性能问题,采用环氧树脂基底制作无源压力传感器模拟结构.传感器无线测试装置由共振电容空腔和感应天线组成,内部无需有源器件、电池等.通过改变压力敏感结构电感天线的金属层厚度和线宽等因素来研究无线信号传输性能.经过实验测试,电感的品质因素Q影响传感器的信号传输.可以通过对金属层加厚,对线宽加宽,达到减小电感的电阻,从而增大传感器电感的Q值,即有利于无线信号的传输.     

热流传感器信号采集系统硬件设计

为了解热流传感器的自身温度与输出的具体数量关系,设计一种基于C8051单片机的热流传感器信号采集系统。该系统增加专用的温度信号采集模块。使系统结构更小,功能更多,且数据采集更精确,从而为后续数据处理奠定基础。     

Si(111)异质外延表面光滑H-GaN的制备和表征

使用MOCVD工艺在单晶硅衬底(111)面上异质外延六方GaN。利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及Raman光谱仪等多种分析方法对薄膜样品的结构、形貌和光学性能进行表征和分析。测试结果表明:得到的晶体为六方纤锌矿结构,主要晶面为(0002),且异质外延的GaN晶体质量良好,定向性好,表面光滑无裂缝。外延膜GaN中E2(高支)声子模和A1(LO)声子模的拉曼峰相对于弛豫状态时发生了红移,说明GaN受到了张应力;而Si的AO声子模的拉曼峰相对于本征频率发生了蓝移,说明Si受到了压应力。     

键合技术的研究进展及应用

晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件.概括介绍了近年来Ⅲ-V族化合物半导体材料键合技术的最新研究进展及其在光电子器件和集成领域的应用.     

高长宽比金属铝热偶条的制备

金属铝因其与多晶硅具备良好的塞贝克系数差且成本低在红外热电堆中常用作热偶条,热偶条制备在MEMS工艺流程制备中至关重要,其结构形貌对热电堆性能有很大影响。为研究不同制备方法对铝热偶条的形貌及性能影响,本实验采用金属刻蚀工艺、剥离工艺进行热偶条制备,调整溅射功率、光刻胶厚、曝光剂量、超声功率等参数对制备工艺进行优化,通过共聚焦显微镜、扫描电子显微镜及台阶仪表征形貌,半导体分析仪表征电阻值。实验表明：通过ROL-7133负胶,前烘1min30s,曝光剂量85mj/cm2,中烘1min40s,显影48s,采用金属剥离工艺制备得到了宽度3μm,厚度0.4μm的高长宽比金属铝热偶条,且整体形貌良好,器件电阻值符合要求。     

热电堆型激光功率计设计与仿真

针对紫外、可见、红外等激光器输出功率测试需求,提出一种由传热体、吸收层、绝缘层和热电偶构成的热电堆型激光功率计.结合热效应和塞贝克效应理论,采用Solidworks三维设计软件构建不同关键结构尺寸的模型,通过ANSYS Workbench仿真软件建立了热电耦合仿真分析模型,分析关键结构尺寸参数对输出电压以及温度分布的影...     

SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备北大核心

设计并制备了一种基于绝缘体上硅（SOI）材料、量程为5Pa～1．8MPa的压阻式压力传感器。在设计方面,通过有限元分析软件和经典理论相结合分析敏感膜片的力学性能和电学性能,得到敏感膜片的尺寸和表面电势的分布;在工艺方面,设计了基于标准微电子机械系统（MEMS）工艺的制作流程;在芯片的封装方面,为保证敏感芯片与外界的电气互连,采用了引线键合工艺,同时装配温度补偿电路和信号调理电路降低了传感器的温漂,保证传感器的输出。制备后的压力传感器在温度压力复合平台进行标定和温度测试,结果显示传感器在设计量程范围内具有较好的精度并且可在-50-205℃内稳定工作。     

基于SOI岛膜结构的高温压力传感器北大核心

针对绝缘体上硅（SOI）压力传感器平模结构下压敏电阻所在区域应力跨度过大而导致的线性度降低问题,采用了岛膜结构改善敏感膜片表面的应力分布,使压敏电阻能够完全布置在应力集中区,从而提高传感器的灵敏度和线性度。使用有限元分析软件对岛膜结构进行力学性能分析,根据敏感膜片表面应力分布情况确定压敏电阻最优的位置分布,并完成敏感芯片的制备。对完成的敏感芯片进行封装并进行温度-压力的复合测试,测试结果表明在19~200℃、量程2 MPa范围内,该传感器有较高的灵敏度（0.055 mV/kPa）和线性度（0.995）。