一种用于VCO供电的低噪声LDO

设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为－70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为－47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为－27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。     

MEMS刻蚀工艺仿真模型及研究进展

随着计算机技术和微机电系统发展的需要,微加工刻蚀工艺的计算机模拟得到了飞速发展。综述了微加工刻蚀工艺的研究现状以及几种典型的工艺刻蚀仿真方法,分析了各种方法的优势和不足;重点介绍了在基于各向异性刻蚀方面应用广泛的元胞自动机法(CA),分析其优势所在,并阐述了CA模型的基本原理、发展变化和研究应用。     

一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计

基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。     

一种输出端电压达到负电源电压的DAC缓冲运放

基于2 μm SOI CMOS工艺,设计了一种输出电压达负电源的运放,用作12位四通道D/A转换器的单位增益缓冲。分别在VDD=+5 V,VSS=0 V,VREFH=2.5 V,VREFL=0 V以及VDD=+15 V,VSS=-15 V,VREFH=10 V,VREFL=-10 V这两种条件下测试D/A转换器性能,该转换器的INL分别为-0.31 LSB和0.27 LSB。测试结果表明,该运放的性能满足D/A 转换器的要求。     

应用于DC/DC变换器的模拟伪三型补偿结构

介绍了一种采用模拟伪三型的补偿电路,该补偿电路可应用于DC/DC变换器中。通过在PWM比较器前把一个产生低频极点的全差分电路和一个产生低频零点的电路相加,得到两个低频零点和一个低频极点,进而得到快速的负载响应速度。在标准CMOS工艺下仿真了一个应用了伪三型补偿结构的DC/DC变换器,结果表明,在400 mA的负载电流阶跃时,负载调整率和线性调整率均小于2%。     

改进密勒编码的解码方法设计与研究

提出三种针对改进密勒编码的解码思路,研究分析其在实际应用中的利弊,提高对改进密勒编码的识别能力。根据模拟和实际测试结果,证明了改进密勒编码的解码结果与协议标准的一致性,在TypeA型卡上运用周期采样的解码方式,得到了良好的实际应用效果。     

基于数据驱动动态逻辑电路的桶形移位器设计

介绍了一种新型数据驱动的动态逻辑电路。该电路去除了时钟信号,利用适当的输入数据来保持电路正确的逻辑操作。基于数字驱动的动态逻辑电路,设计了一种新型低功耗、高性能的8位桶形移位器。仿真结果表明,在相同的工作频率下,与基于传统动态逻辑电路的8位桶形移位器相比,新型8位桶形移位器的版图面积减少了40%,速度提高了17%,功耗-延迟积减少了14%。     

一种新型的高效率RF-DC整流器设计

设计了一款能产生高输出电压的新型交叉耦合RF-DC整流器。为了最大化输出电压,该整流器在每个充电路径中仅经过一个MOS开关管,降低了串联损耗。采用SMIC 0.18 μm双阱CMOS工艺仿真模型模拟,在输入射频功率-13.52 dBm时,输出电压为1.66 V,转换效率达62%。     

递推滤波算法中非周期分量处理方法的探讨

根据变数据窗滤波算法的特点，提出了几种适用于递推估计计算的非周期分量 处理方法。并从频域和时域的角度对它们的滤波性能进行了分析比较。结果表 明，指数拟合法具有较好的综合滤波性能。数字仿真结果证实了该方法的有效 性。