免标记DNA电化学传感器测定凝血酶

研制了一种基于介孔二氧化硅负载纳米金和适体DNA的免标记电化学传感器,用于检测凝血酶的含量。实验中先用三甲基氯硅烷(TMCS)封闭介孔二氧化硅(MPS)前驱体外壁硅羟基的活性,煅烧除去模板剂后,再用氨基丙基三乙氧基硅烷(APTS)与孔道内壁硅羟基反应,接枝氨基,最后得到内壁修饰氨基的介孔硅材料(APTS-TMCS-MPS)。金纳米粒子(GNPs)通过与APTS-TMCS-MPS氨基的静电作用力组装到介孔孔道内,然后和巯基修饰的适体DNA通过金硫键相结合,制得免标记探针(DNA/GNPs/APTSTMCS-MPS)。将探针修饰在玻碳电极表面,制得免标记DNA电化学传感器。将该传感器与含有凝血酶的待测液温育反应后,凝血酶和固定在介孔内的适体DNA发生特异性反应,形成位阻较大的适体DNA和凝血酶的复合物,从而增加了介孔孔道内的空间位阻,导致电流响应信号降低。随着凝血酶浓度的增加,孔道内部的位阻也随之增加。根据形成的复合物对电子转移和响应电流的阻碍,可以实现对凝血酶的免标记测定。实验结果表明,APTS-TMCS-MPS介孔孔道内的GNPs,可以提高孔道内电子的传递效率。在优化的实验条件下,该免标记DNA电化学传感器对凝血酶的检测线性范围是1.0×10-8~1.0×10-6 mol·L-1,检测限是7.5×10-9 mol·L-1(3σ)。     

基于输出理论的教学模式研究

以二语习得理论为出发点,输出理论为基础,研究能够有效提高学习者二语习得的教学模式。首先阐释了输出理论和输入理论的关系以及研究输出理论的重要性,其次分析了输出理论在二语习得中的重要作用,然后探讨了以输出理论为基础的教学模式,旨在提高二语教学水平和学习者二语习得能力。     

解析第二重要极限的三步骤法

针对第二重要极限存在计算公式多样化及形式构造复杂化的问题,提出了解析第二重要极限的三步骤法。利用幂指函数的连续性处理1∞未定型极限,并将其归纳为判定类型、构造“1加”、指数倒数形式的三步骤,即可得到极限计算结果。三步骤法简化了第二重要极限的计算步骤,降低了第二重要极限学习和掌握的难度。     

120 t顶底复吹转炉水力学模拟实验研究

以120 t顶底复吹转炉进行水力学模拟实验,研究单顶吹条件下枪位、顶吹流量对熔池混匀时间、冲击直径和冲击深度的影响;单底吹条件下底吹流量、熔池深度和底部供气元件布置对熔池混匀时间的影响;顶底复吹条件下最佳因素和水平。结果表明:单顶吹时枪位为1 000 mm时混匀时间最短;单底吹时底吹流量为750 Nm3/h时混匀时间最短,底部供气元件布置对混匀时间影响较大;顶底复吹时底吹流量对混匀时间影响最大,而枪位对混匀时间影响最小,当底部布置方式为喷孔在一条直线上对称分布时,顶吹流量为10 000 Nm3/h,底吹流量为600 Nm3/h,顶枪枪位为800 mm,熔池深度为800 mm时,熔池混匀效果最佳。     

W18Cr4V高速钢激光相变强化层的残余应力

利用Ｘ射线衍射法对Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢激光相变强化层的残余应力进行了测定和分析。试验结果表明，相变强化层表面的残余应力为压应力，内部为拉应力，近似按正弦函数分布。其大小和分布状态随工艺参数的变化而改变。当改变工艺参数使表面熔化时，表面为拉应力。     

葫芦岛上的名牌效应

葫芦岛锌厂从1986年到1991年把锌的生产能力从6万吨提高到20万吨,实现了6年平均每年递增23.3％,利税总额平均每年递增2062万元。从1992年10月起,我们又实施了“三厂一改造”方略,即建一个年产13万吨电解锌的锌业股份有限公司,一座年发电量1.44亿度的自备电厂和一家年产6万     

冷轧15钢的高压热处理研究

对原始组织为马氏体的冷轧15钢在CS-IB型六面顶压机上进行了高压热处理,测量试样的维氏硬度。采用X射线和TEM对其晶体结构和组织形貌进行了分析。实验结果表明:试样在6GPa实验压力下于350℃发生了回复;450￣650℃发生了再结晶;750￣850℃发生了马氏体相变,产物为具有体心立方结构的针状马氏体和具有密排六方结构的网格状马氏体。伴随组织的变化,试样硬度先升高后降低再升高。     

含硫、氧的球墨铸铁孕育剂

常规的球墨铸铁生产中，铁中能否有硫化物和氧化物作为石墨结晶的核心，取决了原铁水的纯度和添加剂、保持时间和温度以及冶金处理工艺和添加剂。     

含氯N—芳基—α—氨基苄基磷酸的合成及其对钢铁缓蚀性能的研究

合成了四个新的含氯N—芳基—α—氨基苄基膦酸缓蚀剂，用元素分析、红外分析、^1HNMR、^31PNMR(核磁共振)确定了它们的结构，并用静态腐蚀实验(失重法)研究其在不同浓度及pH条件下对钢铁的缓蚀性能。     

百米磁场下降法测量埋地管道外涂层绝缘电阻技术

介绍了百米磁场下降法测量埋地管道外涂层绝缘电阻的技术，对施测手段、操作要点、计算方法及检测中应注意的问题进行了论述。