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要提高短波天馈线的发射质量,首先要提高馈线的行波系数。本文介绍了天线部分的计算及调整方法。 相似文献
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本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2·yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应.实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5CoO2的EELS中第一个峰发生明显分裂,密度泛函计算证实这种分裂现象和电子关联效应直接相关.通过理论模拟谱线与实验谱线的比较确定了其电子关联强度为U=3.0 eV.在Na0.3CoO2·yH2O(y=0,0.6,1.3)超导体系中,实验发现其能损谱的低能部分随着水含量的增加发生系统的变化,损失峰向低能量方向逐步移动.电子结构计算表明水分子的插入可以引起费米面附近能态原子轨道杂化情况的改变,从而导致EELS的变化. 相似文献
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将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到Au/1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅/p-Si的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.Au/未注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光光谱在1.8eV处出现主峰,在2.4eV处还有一肩峰.在Au/Si注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光谱中,上述两峰的强度分别增加了2倍和8倍;在Au/Ge注入不大,但都观测到峰位位于2.2eV的新发光峰.采用隧穿-量子限制-发光中心模型对实验结果进行了分析和解释. 相似文献
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很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,原来的常压CVD技术淀积方法已经不能满足这种要求,人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求. 相似文献
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影响印刷质量控制的因素 总被引:2,自引:0,他引:2
通过纸张、橡皮布、油墨、版材和滚筒等印刷材料,对生产过程中的印刷质量控制几乎起不到什么作用;在印刷生产车间.印刷操作人员也很少花费时间和金钱来检测这些原材料。GATF的印刷专家提供了在印刷机开始运转之前该做哪些和不该做哪些工作的一些建议,使印刷故障问题降至最低限度。 相似文献
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