化学量传感器

第四讲 离子敏场效应器件 五、以pH-ISFET为基础的ISFET及CHEMFET敏感膜制备工艺 如前所述,在巳制成的Si_3N_4膜pH-ISFET敏感栅上再复盖一层对某种离子或化学物质敏感的介质膜即可制成相应的敏感器件,而且敏感膜是关系到器件灵敏度、选择性、稳定性、重现性等性能优劣的关键,敏感膜的性能又取决于制膜材料     

一种新型接触式双面对版曝光机

本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片定向和双面图形对准曝光。双面图形对准偏差可控制在±１０μｍ以内。本文并分析比较了各种双面对版曝光设备和技术特点。     

集成微参比电极研究

<正> 离子敏场效应晶体管(ISFET)在诞生后的短短十余年进程中,已成为具有强大生命力的新型电化学敏感器件。为了实现微量溶液及植入动物体内测量,人们正在向ISFET微型化方向努力。与此同时,与之相应的参比电极微型化已成为急待解决的课题。本论文在这方面进     

化学量传感器

<正> ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视,但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足,影响了测量精度。众所周知,对于一价离子,如按Nernst公式估算,每1mV的测量偏差大约相当于4％的浓度误差或2％的pX误差(pX=-logα_x)。对于二价离子,则误差将加倍。实际测量中温漂和滞后是比较明显的。例如pH-ISFET的温漂可达几mV/℃,滞后达数mV到十几mV,器件的时漂约为0.1～1mV/h。值得指出的是pH-ISFET的响应分为快响应和慢响应两部分,前者响应极快,一般在ms数量级,而后者可能长达数小时之久,在此期间器件的输出明显地随时间变化。由此可见,     

离子敏场效应器件的进展及其研究方向

<正> 离子敏场效应晶体管ISFET是一类正在发展中的微型化学传感器。它既具有离子选择性电极相似的功能,又具备微电子器件的重要特征,因而是一类极有前途的、富有生命力的器件。目前此类器件正处于大力加强基础研究、技术攻关和应用研究阶段。就ISFET的化学性能(灵敏度、选择性和重现性)而言,至今与     

化学量传感器

<正> (三)pH-ISFET、ISFET和CHE-MFET 氢离子敏场效应晶体管是最基本的离子敏场效应晶体管。它与MOSFET的区别只在于用对氢离子有响应的敏感膜(如Si_3N_4膜)取代了金属栅。氢离子敏感膜