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采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm. 相似文献
975.
976.
通过龙潭水电站对励磁装置可控硅元件实施过电压保护改进前后实际效果的分析,介绍了一种有效的过压保护方式. 相似文献
977.
978.
1.无机、有机或简单复合的单一制剂
缓蚀剂:主要有铬酸盐、聚磷酸盐、钼酸盐、锌盐等单一缓蚀剂和聚磷酸盐-锌盐、铬酸盐-锌盐、锌盐-膦酸盐等复合缓蚀剂. 相似文献
979.
980.