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目的 采用异质双丝和同质双丝制备3种超音速电弧喷涂铁基涂层,对比研究3种防护涂层在700℃下的抗高温氧化性能。方法 采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对在700℃高温氧化前后涂层的微观结构、表面形貌和化学成分以及物相组成进行表征和分析。采用Matlab软件对涂层的孔隙率进行测定,采用显微硬度计测量涂层的显微硬度。结果制备得到的3种涂层的孔隙率均低于10%,满足电弧喷涂的要求。3种涂层的显微硬度均达到了400HV以上,其中FeAlCrMoVC/FeAlNiMoCrC涂层的孔隙率最低、显微硬度最高,分别为5.00%和456.91HV。在700℃循环氧化下,FeAlCrMoVC、FeAlNiMoCrC和FeAlCrMoVC/FeAlNiMoCrC涂层的单位面积氧化增重分别为10.67、3.32和2.02mg/cm2。它们的氧化动力学符合经典的抛物线规律,抛物线速率常数(kp)分别为3.08×10-10、2.20×10-11和5.60×10-12<... 相似文献
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通过对三轴差动式管内移动机器人驱动单元进行可靠性分析,建立了以差速故障为顶事件的故障树,用求解最小径集和割集的方法找出了影响差速器差速故障的原因,用可重构理念改进设计了三轴差速式管道机器人。改进设计的机器人经过计算机仿真验证和样机运行,改善了运动平稳性、环境适应性和驱动特性,提高了机器人在长距离管道中作业的可靠性指标。 相似文献
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正A monolithic RF transceiver for an MB-OFDM UWB system in 3.1-4.8 GHz is presented.The transceiver adopts direct-conversion architecture and integrates all building blocks including a gain controllable wideband LNA,a I/Q merged quadrature mixer,a fifth-order Gm-C bi-quad Chebyshev LPF/VGA,a fast-settling frequency synthesizer with a poly-phase filter,a linear broadband up-conversion quadrature modulator,an active D2S converter and a variablegain power amplifier.The ESD protected transceiver is fabricated in Jazz Semiconductor's 0.18-μm RF CMOS with an area of 6.1 mm~2 and draws a total current of 221 mAfrom 1.8-V supply.The receiver achieves a maximum voltage gain of 68 dB with a control range of 42 dB in 6 dB/step,noise figures of 5.5-8.8 dB for three sub-bands,and an inband /out-band IIP_3 better than-4 dBm/+9 dBm.The transmitter achieves an output power ranging from-10.7 to-3 dBm with gain control,an output P_(1dB) better than-7.7 dBm,a sideband rejection about 32.4 dBc,and LO suppression of 31.1 dBc.The hopping time among sub-bands is less than 2.05 ns. 相似文献
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超宽带系统CMOS全集成射频收发器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍3.1-4.8GHz MB-OFDM系统的CMOS射频收发器。电路采用直接变频架构,由接收器、发射器和频率综合器组成。采用PGS隔离技术和其他隔离措施完成了单片射频收发器的版图布局。后仿真结果表明,接收链路可提供的最大增益为72dB,其52dB为可变增益,三个子频带内噪声系数介于5.2-7.8dB,带外IIP3不低于-3.4dBm。发射链路可提供的可控输出功率-8dBm到-2dBm,输出1dB压缩点不低于4dBm,输出信号边带抑制约44dBc,载波抑制不低于34dBc。频率综合器在三个频点间的跳变时间小于9ns。芯片采用Jazz0.18μm射频CMOS工艺设计,面积为6.1mm2。在1.8V电源电压下,总电流约221mA。 相似文献
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本文介绍一种应用于3.1-4.8GHz 多频带正交频分复用超宽带系统的CMOS射频收发机芯片的设计和实现。射频收发机采用零中频结构,主要模块包括:增益可控的宽带低噪声放大器、正交跨导复用下变频混频器、5阶Gm-C切比雪夫低通滤波器及可变增益放大器;采用多项滤波器进行边带杂散抑制的快速跳变频率综合器;宽带线性上变频正交调制器、片内有源双转单电路及输出可变增益放大器。芯片测试结果表明,接收机最大能够获得68dB的电压增益,其中42dB为可变增益,增益步长为6dB;在三个子带内的噪声系数为5.5~8.8dB;带内IIP3和带外IIP3不低于-4dBm和9dBm;发射机能够提供-10.7~-3dBm的输出功率,7.7dB的增益可控;输出1dB压缩点不低于-7.7dBm;发射信号边带抑制为32.4dBc,载波泄漏抑制可达31.1dBc;频率综合器的快速跳边时间低于2.05nS。芯片采用Jazz 0.18μm射频CMOS工艺流片,包括ESD防护PAD在内芯片总面积为6.1mm2;在1.8V的电源电压下,整个芯片的工作电流为221mA (RX+TX+SYN+Buffers)。 相似文献
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