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绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(tSi)的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用015 μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si) 总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225 ℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。 相似文献
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基于湿法氧化法对核电厂产生的放射性废树脂进行前处理,建立了树脂中3H和14C的测量方法,分析了影响方法回收率的因素,并对国内某核电厂废树脂中的3H和14C进行了测量。结果表明,H2O2浓度对方法回收率影响最大,在最优的氧化条件下,方法回收率达96.8%;3H和14C最小可探测比活度分别为41 Bq/g和1.3 Bq/g;14C测量结果与《生物样品中14C的分析方法 氧弹燃烧法》(GB/T 37865-2019)的测量结果相比,无显著性差异,14C测量精密度为10.2%。对国内某核电厂废树脂进行测量,3H和14C的平均比活度分别为(6 134 ±640) Bq/g和(2 724±147) Bq/g。 相似文献
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织物变形的物理仿真技术 总被引:14,自引:0,他引:14
基于物理的仿真模型是织物变形仿真技术的主流, 文中对基于物理的织物变形仿真模型进行了综述,首先,把模型分为两类:一类是离散质点型模型,一类是连续介质型模型,其次,评述了各种模型,分析了其优缺点,并对各种算法的效率进行了比较,最后,对织物变形物理的仿真的发展方向提出了一些看法,特别强调了发展有限元模型。 相似文献
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InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40~ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4~ 46 ) :1。 相似文献
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在由S—550型扫描也镜及EDAX9100/60能谱仪构成的组合仪器上,对一种激冷铸铁中块状相及基体的成份进行了定性及半定量分析。结果表明,块状相成份符合MnS的化学计量组成,而基体成份与化学分析数据一致。利用波谱仪线扫描及x射线面分布作图对这些块状夹杂物的组成进行了校核,证实能谱分析的结果是正确的。本文还对多相组织中影响定量分析结果的因素进行了讨论。 相似文献
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