三峡库区宝塔坪滑坡形成机制研究

宝塔坪滑坡是三峡库区现有成因复杂的巨型老滑坡之一,长期以来,工程界对其形成机制一直有着不同的认识。通过详细的现场调查和对勘察资料的深入分析,基于滑坡形态和结构特征,进一步探讨了宝塔坪滑坡的形成机制和演化过程。研究发现：滑坡发育受控于巴东组三段泥灰岩内部及其与二段泥岩之间的层间错动带、坡体后部卸荷裂隙带和长江下切提供的高陡临空面。根据巴东组四段紫红色泥岩在滑坡区不同高程的分布和滑坡结构分析,滑坡形成及演化具有典型“多期活动,逐级牵引”模式。该滑坡共分3期活动历史,地质力学模式均为“临空面形成-卸荷裂隙带发育-泥化的层间错动带塑流沉陷-蠕滑拉裂-滑面贯通”。每期活动牵引后部坡体变形,进而重复前一期的变形破坏过程。     

水电站尾水壅水堰堰体水下施工关键技术

针对闽江水口水电站尾水位因河流下切和坝下无序采砂降低约4.4 m,已严重威胁发电机组正常运行与电网供电安全这一情况,为治理该水电站尾水位病害,提出尾水壅水堰治理措施,并对其有效性进行了模型试验验证。为了实现在不停机的条件下完成尾水雍水堰工程的水下施工作业,提出了半圆柱壳体水下缓流施工平台技术、缆索吊装、水平牵引就位施工新方法,以及翻转刚性托板、就位钢丝笼施工新工艺等施工关键技术。     

用顶点着色问题的贪婪算法解决排课问题

顶点着色的贪婪算法中＂按给定的顺序、满足一定的条件依次对顶点着色过程＂可视为＂按给定的顺序、满足一定的条件依次将顶点放入不同（颜色）的盒子中的过程＂,受此启发,设计相应的排课算法,首先提出＂数量约束＂的概念,给出该问题的具体需满足数量约束的项;然后将总表中的每条记录看成一个＂顶点＂,将一张课表中每一个具体的表格视为不同（颜色）的＂盒子＂,设计相应的启发式规则;最后把排课的过程巧妙的变成把每个＂顶点＂按相应的规则、在满足＂数量约束＂的要求的前提下放入上述＂盒子＂中的过程。     

用计算机推理的方法求解数字填图问题

模拟人思考问题的过程．尝试用计算机推理的方法求解数字填图问题。     

q×2m的高速FFT处理器设计

对非2次幂长度的海量数据FFT处理器设计,采用补零技术会造成巨大硬件资源的浪费,且影响算法性能．提出了一种适合于硬件实现,可处理数据长度为q×2“的FFT算法（q为非2质数）以及基于此算法的FFT处理器设计方法．提出的操作数地址映射方法充分利用了算法的同址特性,使得在最少的存储空间需求下,达到最大的数据并行性;设计的混合运算单元有效地统一了混合基和q点DFT运算,减少了运算部件的资源占用率,使得多个运算单元的并行成为可能．仿真结果表明,计算16位20480点DFT运算需要7181个时钟周期,系统频率达到了105MHz．不仅有效地扩展了FFT处理器的数据处理范围,同时满足SAR等实时系统对处理速度的要求．     

基于RBAC的高校办公自动化系统设计

分析了基于角色的访问控制的工作原理,提出了一种基于Web应用的RBAC权限控制有效实现方法,并将其应用于高校办公自动化系统设计.介绍了OA系统的设计与配置方法,重点阐述了基于Web的RBAC控制模型在OA系统中的实现方法.基于该模式开发的系统具有较高的安全性与稳定性,很好地满足了高等学校办公自动化的需求.     

一种改进的有色噪声背景下信号的检测算法

摘要:对于自回归型(AR)的广义平稳(WSS)高斯有色噪声,以改进的协方差法得到了该噪声未知参数基于AR模型的估计,该估计优于现在广泛使用的周期图方法.然后利用渐进似然函数,建立了广义似然比(GLRT)检测器,该检测器的性能依赖于噪声的未知参数估计的精度,并且得到了检测概率和虚警概率的渐进表达式.通过对含有WSS高斯有色噪声的信号在不同信噪比下的计算机仿真实验分析,结果验证了提出方法的有效性,而且检测性能明显优于原算法.     

基于BPSK调制的卫星移动通信遥测异常信号识别系统设计

为提高卫星移动通信遥测异常信号识别系统传输兼容性和识别准确率,设计了基于BPSK调制的卫星移动通信遥测异常信号识别系统。通过BP神经网络卫星移动通信遥测模块,建立B/S模式识别模块,借助BPSK数控振荡器及虚拟仪器通信模块,定向化处理遥测异常信号。确定非圆相位与非圆率,定义子空间特性原理,估计遥测异常信号传输方向,提取遥测异常信号瞬时特征与波形特征,计算遥测异常信号参数,实现卫星移动通信遥测异常信号识别。结果证实,所提系统的传输兼容性和识别准确率。     

重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析

研究了重离子单粒子辐照（Single event effect,SEE）效应对超薄栅氧化层（1.2 nm厚度）的斜坡击穿电压（Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB）的影响情况。采用209Bi（离子能量为1 043.7 MeV）对65 nm CMOS电容进行（1～2）×10⁷ion/cm²总注量的重离子辐射试验,并在辐射过程中进行VRDB试验。试验结果发现,经过209Bi重离子辐射后,超薄栅CMOS电容的泄漏电流略微增大,跨导-电压曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅氧化层的斜坡击穿电压减小近5%。通过扫描电子显微镜（SEM）检查发现,重离子辐照后栅氧化层中形成微泄漏路径,导致其击穿电压降低,并强烈影响超薄栅氧化层的长期可靠性。