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载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要.在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件Ⅳ特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等.本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数. 相似文献
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IP网络的发展现状与趋向 总被引:1,自引:0,他引:1
1IP网络的发展现状当前,基于TCP/IP协议的IP网络,包括Internet(互联网)、intranet与extranet(内联网与外联网)正在迅速发展。据统计,在互联网上的业务量近年来正以指数规律增长。同时,网上的业务范围也在不断地扩大,除了传统的信息检索、电子邮件、远程登录、文件传输等项业务外,各种新的业务,如电子商务、远程教学、远程医疗、IP电话与传真、IP视频会议、网上协同工作、虚拟专网等等,均在蓬勃发展之中。人们预言,即将来临的二十一世纪将是一个以IP网络和IP信息业务为主体的信息化时代的开始,它将影响到整个社会、经… 相似文献
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