全文获取类型
收费全文 | 276篇 |
免费 | 29篇 |
国内免费 | 31篇 |
专业分类
电工技术 | 19篇 |
综合类 | 36篇 |
化学工业 | 19篇 |
金属工艺 | 6篇 |
机械仪表 | 48篇 |
建筑科学 | 31篇 |
矿业工程 | 16篇 |
能源动力 | 16篇 |
轻工业 | 20篇 |
水利工程 | 11篇 |
石油天然气 | 19篇 |
武器工业 | 4篇 |
无线电 | 21篇 |
一般工业技术 | 13篇 |
冶金工业 | 5篇 |
自动化技术 | 52篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 22篇 |
2022年 | 17篇 |
2021年 | 18篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 20篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 13篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 12篇 |
2009年 | 26篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 11篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 14篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有336条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
断屑一直是人们研究的课题。断屑的基本方法,一是在切削过程中增加切屑的变形,习惯采用在前刀面设断屑台及改变刀具几何形状和调整切削用量;另一是采用间断切削如振动断屑、间隙进给等。我厂连杆生产,小头工艺扎的镗削(45锰钢,调质处理,孔径与孔长比为1:1.2,D_4)采用两工位偏心镗孔,较好地解决了断屑问题,对刀具刃磨无特殊要求,成本也较低。 相似文献
42.
根据生产需要,我厂对C630车床进行改装设计,制成粗、精车曲轴仿形车床各两台,后又设计、制造了一台中心高为150mm的小型液压仿形车床。这五台仿形车床均采用了双边随动阀。本文就双边随动阀的设计、参数选择及制造、调试等方面,谈谈自己的体会。一、两种不变压力腔的配置在双边滑阀式液压随动系统中,当控制滑阀移动时,依靠两个阀口(又称双边)控制液流,使油缸的一个油腔压力发生变叱,另一油腔压力不变,来实现自动调节。 相似文献
43.
44.
45.
46.
考虑直流输电控制方式的受端电网电压稳定性机理分析 总被引:2,自引:1,他引:1
随着交直流混合电网的不断发展,大功率、远距离直流输电的受端电压稳定性问题备受关注。针对交直流有机耦合的受端电压稳定性问题,将逆变器与补偿滤波电容统称为逆变站,借助直流输电功率可表达为交流受端电压函数的特性,构建了受端系统供给无功特性及逆变站需求无功特性的新表达形式,揭示了两者不匹配是受端电压不稳定的根本原因。在此基础上,计及直流输电系统的不同控制方式,通过受端系统的在线戴维南等值,给出了受端系统电压稳定判据的解析表达式,便于进行各种控制方式和策略的比较与分析,为控制的有效性奠定了基础。算例分析表明,该方法简洁有效。 相似文献
47.
48.
本研究聚焦于优化原子吸收光谱法(AAS)在食品微量元素检测中的应用。研究主要通过采用高强度电感耦合等离子体(ICP)光源、精细的仪器校准和先进的数字信号处理技术来提高AAS的检测灵敏度和准确度。此外,对样品前处理方法进行了优化,特别是采用微波辅助提取技术,以提高目标元素的提取效率。同时,探讨了将AAS与液相色谱(HPLC)或质谱(MS)等技术结合的可能性,以实现复杂样品中多元素的同时测定。研究结果表明,这些优化策略显著提升了AAS在食品安全监测中的应用效果,为食品微量元素分析提供了有效的方法。 相似文献
49.
50.
为了实现在8寸化学机械抛光设备上进行小尺寸镀铜InP晶圆的减薄抛光工作,提高设备的兼容性,缩减工艺步骤,减少过多操作导致InP晶圆出现裂纹暗伤和表面颗粒增加等问题,自制特殊模具,使小尺寸InP晶圆在8寸化学机械抛光设备上进行加工,再根据InP晶圆易碎的缺陷问题,通过调整设备的抛光头压力、转速和抛光垫的转速等相关工艺参数,使其满足后续键合工艺的相关需求。实验结果表明:在使用特殊模具下,当抛光头的压力调整为20.684 kPa、抛光头与抛光垫的转速分别为:93 r/min和87 r/min时,InP晶圆的表面粗糙度达到:Ra≤1 nm;表面铜层的去除速率达到3 857×10-10/min;后续与8寸晶圆的键合避免键合位置出现空洞等缺陷,实现2寸InP晶圆在8寸设备上的CMP工艺,大大降低了CMP工艺成本,同时避免晶圆在转移过程中出现表面颗粒度增加和划伤的情况,实现了InP晶圆与Si晶圆的异质键合及Cu互连工艺。 相似文献