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141.
142.
提出一种基于条件分支语句的软件水印的设计思想,并在实现过程中运用混淆和防篡改技术。增强水印的鲁棒性。通过实验证明,该方法能抵挡一些简单的针对软件水印的攻击,并为设计静态水印和动态水印相结合的软件水印算法提供可行的思路。 相似文献
143.
提出了一种基于光学游标效应的级联光纤萨格纳克干涉仪和光纤模态干涉仪高灵敏度温度传感器,并对其传感特性进行了实验研究。光纤萨格纳克干涉仪由一段保偏光纤和3 dB四端口耦合器组成,光纤模态干涉仪由一段少模光纤与两段单模光纤熔接形成。选取光纤萨格纳克干涉仪作为温度传感器,光纤模态干涉仪充当滤波器。通过控制保偏光纤和少模光纤的长度,使光纤萨格纳克干涉仪的自由光谱范围为2.63 nm,光纤模态干涉仪的自由光谱范围为2.82 nm,两者的自由光谱范围相近又不相等,从而形成光学游标效应。实验结果显示,单个光纤萨格纳克干涉仪的温度灵敏度为-1.30 nm/℃,级联光纤模态干涉仪后,其温度灵敏度提高到-18.19 nm/℃,放大倍数为13.99。该传感器制造工艺简单,稳定性好,不需要特殊的增敏材料来提高灵敏度。 相似文献
144.
针对深度神经网络模型仅学习当前指代链语义信息忽略了单个指代链识别结果的长期影响问题,提出一种结合深度强化学习(deep reinforcement learning)的维吾尔语人称代词指代消解方法.该方法将指代消解任务定义为强化学习环境下顺序决策过程,有效利用之前状态中先行语信息判定当前指代链指代关系.同时,采用基于整体奖励信号优化策略,相比于使用损失函数启发式优化特定的单个决策,该方法直接优化整体评估指标更加高效.最后在维吾尔语数据集进行实验,实验结果显示,该方法在维吾尔语人称代词指代消解任务中的F值为85.80%.实验结果表明,深度强化学习模型能显著提升维吾尔语人称代词指代消解性能. 相似文献
145.
针对粉体物料螺旋输送过程中存在粉尘污染、输送效率较低的问题,为实现粉体物料脱气密实输送的效果,以粉体输送密实螺杆结合微负压真空仓的方式,对螺旋喂料装置的密实段进行结构设计及参数优化.建立螺旋喂料装置的三维模型,并选用遗传算法进行参数优化,结合EDEM-Fluent耦合仿真对所设计装置密实效果进行分析.结果表明,物料的平均质量流量约为0.831 kg/s,输送最大密度为889.299 kg/m3,最大密实百分比为20.51%,质量流量在0.783~0.883 kg/s的范围内波动,波动百分比在±6.26%以内,本装置具有较好的密实脱气效果,且在保证物料质量流量增加的同时,流量波动降低,喂料精度提高. 相似文献
146.
文章讨论了脉冲频率啁啾对用自相关法测量产生的误差,就脉冲的线性啁啾、二次啁
啾对测量结果的影响进行了理论分析和仿真计算。还提出了修正二次啁啾影响的简单方案,并结合实验测量结果进行了验证。 相似文献
147.
使用虚拟机技术可以让电能表软件业务应用真正的实现跨硬件平台。不论使用何种架构的内核,均可使用统一的应用程序,因此为了保证电能表的稳定运行,需要提出应用虚拟机技术的电能表测试方法。研究基于虚拟机平台的电能表测试方法,可以用于基于虚拟机的电能表(简称虚拟机电能表)测试。根据虚拟机电能表的特点,将测试分为三部分:平台测试、应用测试和功能测试,根据各个部分的差异,提出不同的测试用例,开发客户端软件并对样机进行测试。测试方法的提出保障了虚拟机电能表使用的稳定、安全、可靠。 相似文献
148.
电力电容器用途广泛,是电力系统中重要的一次设备。针对目前电力电容器绝缘状态检测欠缺成熟高效的手段,提出一种基于极化去极化电流法来检测电力电容器的绝缘状态,并分析极化去极化电流法中极化电压和极化时间对绝缘状态判断的影响。首先阐述了极化去极化电流法的基本原理,其次利用测试的极化去极化电流推导出决定电容器绝缘状态的两个特征参量,即直流电导率和0.1 Hz介损;再基于该方法理论,研究出在不同极化电压和不同极化去极化时间下,电力电容器极化、去极化电流都有不同程度的差异,但其绝缘状态参量直流电导率和0.1 Hz介损却没有发生显著的变化。通过研究说明利用极化去极化电流法能够无损检测电力电容器的绝缘状态。 相似文献
149.
机载电子设备呈现出高性能、高可靠、低成本的发展趋势,而采用工业档器件进行低温加热以满足机载环境条件的要求是降低电子设备成本的一个关键途径。为了深入探讨低温加热技术在机载环境条件下的应用,文中对比了几种不同的低温加热方式。针对适合机载环境条件的电阻加热方式研制了一套低温加热智能控制电路,详细介绍了该电路的工作原理和组成部分。并在此基础上搭建了一套试验测试系统,对低温加热性能进行了试验测试,确定了低温加热时间和加热功耗的关系。结果表明:当加热功率为27 W和19 W时,元器件表面温度从-55℃加热到-35℃的加热时间分别不超过2 min和5 min,符合GJB对元器件启动温度的要求。 相似文献
150.
随着IC器件上的I/O尺寸减小和密度增加,与之通过接触来进行电性能测试的探卡密度也要相应增加,传统手工制作的环氧树脂针形探卡难以满足使用要求,使用MEMS技术制作探卡成为发展的趋势,但是当前MEMS探卡的主要问题是不能承受和产生破坏焊垫表面氧化层和污染层所需的应力.本文提出了一种简支梁结构、通过多次电镀工艺制作的三维弹性MEMS探卡,这种探卡可以承受更大应力,并且具有较小的自身电阻.针对间距为250 μm阵列排布的器件I/O,使用ANSYS有限元方法对弹簧型探卡进行了结构分析和设计,采用UV-LIGA工艺制备探卡,最后对探卡的力学性能进行了测试. 相似文献