次亚磷酸钠作还原剂化学镀铜工艺研究

近年来,化学镀铜技术在PCB行业、机械工业、航空航天等各行业有着越来越广泛的应用,有关化学镀铜的机理研究和工艺路线改进等课题已成为当今材料表面处理研究领域的热点之一。然而,以甲醛为还原剂的传统化学镀铜工艺受绿色制造的要求,其使用将受到限制,开发非甲醛体系化学镀具有巨大市场潜力。本文采用RF-4环氧树脂为基材,研究了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的改进,并且讨论了添加剂的加入对镀铜层形貌和性能的影响。     

银-DBSA掺杂聚苯胺的制备及应用研究

采用苯胺,过（二）硫酸铵（NH4）2S2O8、硝酸银AgNO3、甲醛、十二烷基苯磺酸钠等为原料,合成了银-DBSA掺杂的聚苯胺。最佳合成的具体条件：反应温度在0～5℃下,苯胺、（NH4）2S2O8和十二烷基本磺酸钠摩尔比为4：4：1,加入的AgNO3的物质的量为苯胺的10%,反应4.5小时后,再加适量的甲醛还原得到银-DBSA掺杂聚苯胺。样品的IR光谱表明,通过还原后峰型和峰位都发生了明显的变化。样品的XRD分析知,银-DBSA掺杂聚苯胺有很强的金属元素银的峰,样品的SEM表明,还原得到的银-DBSA掺杂聚苯胺的颗粒度更小,且有许多银白色的银粒分散在高聚物大分子中。样品的TG热分析表明,银-DBSA掺杂聚苯胺在420℃以下是很稳定的,说明掺入银后的聚苯胺的热稳定性得到了显著的增强。用四探针电阻仪测试样品的电导率约为14S/cm,因此它是很有希望用于全印制电路技术的新材料。     

电解液组成对电沉积制备氧化亚铜晶体生长机理的研究

使用恒电流电沉积方法制备氧化亚铜晶体。X射线衍射（XRD）、扫描电子显微境（SEM）等分析表明，Cu2O晶体为立方晶系，改变电解液的组成可以使Cu2O晶粒由多面体聚集体（主要是八面体）变为分散均匀、粒径可控的Cu2O晶体。Cu2O的电沉积动力学表明，不同成份的电解液可以极大地影响电极反应的不可逆程度，从而改变Cu2O成核速度和晶粒尺寸。     

特种Nafion溶液制备及其在PEMFC中的应用研究

Nafion溶液在燃料电池、电极修饰、电化学分析、电化学催化等领域具有广泛用途。采用特种高沸点溶剂,获得了溶铸性能优良Nafion的溶液。比较溶铸Nafion膜与原始Nafion膜的IR光谱可以看出,Nafion溶液制备方法未对Nafion膜的化学组成与分子结构产生影响,但溶铸膜的分子排列更加规整有序。将该溶液在PEMFC中应用,其性能优于目前的商品水-醇体系Nafion溶液。     

次亚磷酸钠还原化学镀铜工艺研究及展望

化学镀铜是印制电路制作中重要工序,开发新的非甲醛体系化学镀铜工艺是当前化学镀铜领域中的热点。文章根据化学镀铜的基本原理,分析了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的特点、以及该技术的研究情况,并提出了该工艺未来的研究方向。     

低压铝箔腐蚀的碱洗工艺

对国产高纯Ａｌ箔在电化学腐蚀扩面前进行碱洗是必要的。采用恰当的碱洗工艺，可以提高腐蚀Ａｌ箔的静电比容约１０％。     

Sol-Gel法合成SrO-TiO2-SiO2:Eu3+,Bi3+发光材料

用Sol-Gel法合成了SrO-TiO2-SiO2为基质、稀土Eu3+激活的发光材料;研究了材料的合成条件,测试了样品的激发光谱、发射光谱、X-ray衍射光谱等;用TGA-DTA分析了样品合成时的反应行为;获得了合成样品的最佳组成及最佳实验条件。     

基于环氧树脂/ 钛酸钡/ 聚酰亚胺绝缘介质的PCB 埋嵌电容的制作及性能研究

文中使用叠层技术制作了以环氧树脂/钛酸钡/聚酰亚胺为绝缘介质的PCB埋嵌电容器。制作的电容器容值与设计值之间误差在-4.0%到-6.0%之间。通过将电容器面积增加5%,电容器容值误差降低到了-1.1%以下。为了检测埋嵌电容器的可靠性,分别进行了260℃回流焊、高低温冷热冲击、85℃/85%RH及高压击穿测试。测试结果表明,以环氧树脂/钛酸钡/聚酰亚胺为绝缘介质的PCB埋嵌电容器有良好的环境可靠性,适合用于制作PCB埋嵌电容器。     

双面蚀刻薄介质材料埋容芯板可行性研究

用蚀刻薄膜材料法制作埋嵌式电容，其电容介质材料较薄，常用的电容介质材料厚度在8μm～50μm之间，因此在制作电容层图形时，容易出现皱折、破损的情况。目前可行的方法是用单面蚀刻法制作电容层图形。探讨运用双面蚀刻法制作电容层图形对电容值精度的影响及其可行性分析。     

有限元分析印制电路板钻孔热效应

机械钻孔然后孔金属化是印制电路多层电气连接实现的主要方法。机械钻孔过程中,钻刀的温度高达200℃。钻刀在切屑过程中通过热量传导及应力挤压影响孔壁的形状。本文将使用有限元分析双面印制板钻孔过程中孔壁周围温度分布,根据材料的性质讨论钻孔过程温度分布与孔壁形成之间的关系,并通过该分析结果扩展讨论刚挠结合板分析成孔原因。