一种用于DC/DC控制器的三角波发生电路

介绍了一种用于两路两相DC/DC控制器的三角波发生电路;描述了电路工作原理、线路设计、版图设计。电路包括弛张振荡器和相位转换电路。采用0.5μm BiCMOS工艺模型库验证。仿真结果表明,该电路可以输出频率和幅度可调的两路180°反相三角波,并已应用在两路两相同步工作的单片DC/DC控制器中。     

圆柱型阵机载雷达杂波抑制新方法

圆柱型阵天线相对于常规的平面阵天线具有空间全方位扫描、搜索跟踪方式灵活和波束方向性好等优点。该文首先从圆柱型阵机载雷达杂波协方差矩阵特征值分布和杂波功率谱距离向分布两个方面分析了圆柱型阵列与均匀平面阵列之间的区别,得到杂波功率谱随距离变化的结论。然后根据圆柱型阵机载雷达杂波分布特点提出了两种不同的杂波抑制方法,它们能够很好地解决圆柱型阵机载雷达杂波距离向分布非均匀的问题。最后通过仿真实验验证了该文方法的正确性。     

基于概率定义扩展样本的机载雷达空间和时间相关海杂波数据仿真方法

海杂波背景下的目标检测性能是机载预警雷达的重要指标之一。为了给机载雷达海杂波抑制方案的有效设计提供数据来源,需要仿真模拟出满足实际分布特性和相关性的海杂波。针对实测海杂波数据具有的显著时间相关性和空间相关性,提出了一种新的海杂波数据产生方法。该方法基于概率密度定义及相关性的本质,运用蒙特卡罗思想和Cholesky分解来产生空间和时间相关的海杂波。这种方法不仅简化了海杂波数据产生流程,同时提高了海杂波幅度和相关性吻合效果。分别利用实测和仿真数据验证了所提方法的有效性。     

小碟也能挑起三颗星

春节期间,得知138°E、122°E 两星数码、天浪部分节目开锁,本人就利用现收视146°E的45公分中卫小天线,干脆来个小碟收三星。我用的是二手9.75GHz双本振单输出高频头一只、10.75GHz 奥斯卡高频头二只、佳讯四进一出开关一只、430XP数字机一台,地点在浙江温州市。     

新型的分段结构光纤倏逝波传感器

提出一种基于倏逝波吸收原理的分段结构光纤倏逝波传感器。运用光束传播法(BPM)对分段和直形波导模型进行数值模拟,分段波导中高阶模在每次分段的第一个界面上被反复地激发。分析不同结构、纤芯直径和溶液浓度对传感器灵敏度的影响,通过化学腐蚀方法制备出不同结构参数的倏逝波传感器,并用不同浓度亚甲基蓝溶液对传感器的灵敏度特性进行实验验证。实验结果表明,在传感直径相同的条件下,传感长度为5cm分段结构光纤倏逝波传感器的灵敏度为0.0135L/mmol,优于传感长度为6cm的传统的单一直形传感器的灵敏度0.0102L/mmol。分段结构光纤倏逝波传感器能有效地激发光纤中低阶模到高阶模的转变,从而提高传感器的灵敏度。实验结果与模拟和理论结果相符。因此,分段结构光纤倏逝波传感器相对于传统的单一的直形传感器不仅具有较高的灵敏度,且机械强度较高,在物质光谱检测方面有着潜在的应用。     

激光通信平背伺服摆镜支撑结构优化设计EI北大核心CSCD

为了保证平背伺服摆镜的镜面精度和支撑刚度,设计了一种周边柔性支撑的方案,通过对摆镜与镜座粘接处机械结构进行切口处理形成铰链结构,降低结构刚度,减小结构变形产生应力的影响。由于摆镜形状、粘接点位置、柔性支撑结构参数较多,并且相互耦合,首先采用正交实验法对摆镜主要参数进行分析与优化,确定摆镜形状尺寸参数和粘接点位置,随后优化设计摆镜柔性支撑结构。仿真分析和实验表明,采用该周边柔性支撑后,摆镜组件一阶频率为446.66 Hz,在±5℃温升(温降)和标准地球重力共同作用下,最大面形误差RMS为λ/42.87,能够满足动、静态刚度和热尺寸稳定性要求。随后使用ZYGO干涉仪在(23±5)℃温度范围内对加工装配后的摆镜面形进行检测,结果表明,摆镜面形PV值优于λ/5.1,RMS优于λ/43.28,满足RMS≤λ/40的指标要求。实验结果表明,柔性支撑参数设计可靠,满足使用要求。     

生长助剂对微纳米级二氧化钛颗粒形貌和光吸收性能的影响

以钛酸丁酯为钛源,氟化氢(HF)为形貌控制剂,溶剂(乙酸乙酯、乙酸和异丙醇)为生长助剂,通过溶剂热法合成了不同形貌的二氧化钛(TiO2).利用X射线衍射谱(XRD)分析样品的物相,扫描电子显微镜(SEM)表征TiO2颗粒的形貌,氮气吸附-脱附实验测量样品的比表面积,紫外可见吸收光谱测试样品的光吸收能力.结果表明:乙酸乙酯、乙酸和异丙醇作为生长助剂时,相应地得到球形、片状和比表面积高达155.58m2 ·g-1的花状结构.乙酸乙酯对样品形貌的影响大于HF.乙酸和异丙醇对HF具有协同作用,不同形貌的TiO2颗粒的紫外光吸收的强弱顺序为醇-TiO2,酸-TiO2,酯-TiO2.     

燕山水库顺河向隐伏断裂发育特征及其构造稳定性分析

燕山水库是南水北调中线反调节大型蓄水工程．坝区内有一条顺河向区域性隐伏断裂，它的稳定性对水库的兴建具有重要意义．地形地貌、新生界以来地层岩性的展布都直接受着地壳运动、地质构造的控制，同时也是地壳运动和构造活动特征及发展趋势的标志．作者在大量野外调查、钻探资料及室内镜下鉴定成果的基础上，分析了库区两岸发育的三级不对称堆积阶地及河漫滩，认为各地貌单元在分布高程上两岸一致，说明库区地壳近期相对稳定．另外，依据新生界地层岩性特征并结合热释光、C14法绝对年龄测试成果，认为库区顺河向断层自第四纪以来是稳定的.     

一种新的混合预失真器的设计

通信技术的发展对于功率放大器的要求越来越高,主要集中在高线性、高效率的功放.预失真是目前改善功放线性比较好的方法.新的自适应混合预失真系统充分利用模拟预失真,快速简单的和数字预失真算法的精确,输入信号先后经过模拟、数字两级预失真系统,并结合信号包络检测技术进行带外信号调节.通过对仿真结果的比较,IMD性能比单独使用数字预失真系统有了8 dB的改善,同时收敛时间也有所减少.     

低缺陷密度和平整表面的硅基砷化镓外延

Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is performed to achieve a high-quality top-layer. The initial thin buffer layer at 360 ℃ is critical for the suppression of anti-phase boundaries and threading dislocations. The etch pit density ofGaAs epilayers by KOH etching could reach 2.25 × 10^5 cm^-2 and high-quality GaAs top epilayers are observed by transmission electron microscopy. The band-to-band photoluminescence property of GaAs epilayers on different substrates is also investigated and negative band shifts of several to tens of meVs are found because of tensile strains in the GaAs epilayers. To achieve a smooth surface, a polishing process is performed, followed by a second epitaxy of GaAs. The root-mean-square roughness of the GaAs surface could be less than 1 nm, which is comparable with that of homo-epitaxial GaAs. These low-defect and smooth GaAs epilayers on Si are desirable for GaAs-based devices on silicon substrates.