我国大豆蛋白加工产业现状及发展趋势

随着人民日益增长的美好生活需要和科学技术的快速发展,我国食品行业,尤其是大豆蛋白加工产业的发展登上了新的台阶。为更好地引导大豆蛋白加工产业的健康可持续发展,对大豆蛋白加工产业的现状及发展趋势进行综述。从原料、产业链、加工企业及市场需求等4个方面,介绍了我国大豆蛋白原料供需、加工企业规模、产品结构等方面情况,分析了大豆蛋白产业亟须解决的问题及发展趋势。国产非转基因大豆在大豆蛋白加工产业中存在竞争优势,提高我国非转基因大豆的自给能力,研发高附加值的大豆蛋白产品,有利于形成与进口大豆错位竞争、相互补充的格局,从而促进我国大豆蛋白产业长期高质量发展。     

工业信息物理系统的安全稳定性设计与应用研究

近年来,工业信息物理系统产品越来越多地采用通用协议、通用硬件和通用软件,以各种方式与互联网等公共网络连接。病毒、木马等威胁正在向工业信息物理系统扩散,其信息系统安全稳定问题日益突出。缺乏有效的安全防御与数据保密措施,将会给信息获取、通信、计算与控制带来许多挑战,如何保障工业信息物理系统的安全稳定性成为一个重要的课题。文章以我国华中某省天然气调控中心数据采集与监控信息系统安全设计和实施建设为例,针对工业控制系统回路中的节点设备和信息网络进行安全设计和分析,从而达到系统在面对多重安全风险时依然安全的要求,进而保障系统运行的安全稳定性。     

电流互感器介质损耗因数与温度的关系

分析了不同绝缘条件下电流互感器介损随温度变化的测量结果,指出了其规律性.     

高压并联电力电容器内部熔丝隔离试验方法优化研究

电容器内部熔丝能在电容器内部元件击穿时,能将故障元件隔离开来,防止故障扩大,延长电容器的使用寿命,为验证内熔丝是否有效,需开展内熔丝隔离试验.而当前内熔丝隔离试验存在着操作安全性低、所需试验设备繁多、接拆线复杂等问题.通过建立等值电路和理论计算,分析内熔丝动作后电阻、电容量及内部分段电压的变化情况,提出内部熔丝隔离试验...     

未知自由曲面数字化自适应采样方法

为实现逆向工程中未知自由曲面高效、高精度的数字化测量,提出一种基于探路法的自适应采样方法。在接触式测头(Touch probe,TP)的两侧各安装一个点激光测头(Point laser probe,PLP),建立坐标转换模型将各个测头的测量值统一到基准坐标系下。逐行采样过程中,在测量方向上,PLP用于探路测量,系统实时地对探路测量数据进行处理并拟合成B样条曲线,根据拟合曲线的曲率特征为TP测量规划合理的测量路径,TP以探路结果为指导完成自适应采样。在测量截面进给方向上,通过截面间夹角分析,自适应地细分测量截面。仿真和试验结果表明,该方法能根据曲面特征合理地布置采样点,有效地提高未知自由曲面数字化采样的效率和精度,为逆向工程提供良好的采样数据。     

超声电机测试研究综述

超声电机技术参数的测量对其研究有重要意义,但由于超声电机的测试参数和测试项目较多,目前国内外出现的测试手段、方法及测试系统也就五花八门,概括起来,这些测试主要集中在定子参数及模态测试、瞬态特性测试、电参量测试、机械特性测试、噪音和寿命测试等方面.文章对目前国内外超声电机测试研究进行了综述,并针对现有测试系统存在的弊端,提出了一种基于虚拟仪器的超声电机测试系统方案,该系统可方便完成多种参数和特性的测量,将是未来超声电机测试系统发展的一个方向.     

烟草异味处理系统控制方式的改进

针对烟草异味处理系统现行控制方式存在的诸多弊端,分析了对异味处理系统控制方式改进的可行性.通过一系列改进措施的实施,使异味处理系统和制丝中控系统实现了有效联控,工作流程得以优化,节能效果较为明显,达到了预期目标.     

高质量灵敏度声波传感器

压电晶体声波器件具有灵敏度高,体积小,价格低等独特优点,因而在气体和液体检测领域的应用前景广.该文首先介绍了多种不同类型的声波传感器的结构和特性,重点给出了几种具有高质量灵敏度的声波传感器,并进行了相应实验验证.     

水泥粉喷桩施工技术在高等级公路软土地基处理中的应用

本文结合工程实例,在施工方案比选的基础上,详细分析介绍了深层水泥粉喷桩的加固原理及公路荷载设计验算、粉喷桩复合地基计算等,并对深层水泥粉喷桩处理软土路基的施工及质量控制措施进行了详细阐述,对其处理效果进行了具体评价和总结。     

一种改进的MOS器件热载流子退化模型

An improved hot carrier injection （HCI） degradation model was proposed based on interface trap generation and oxide charge injection theory. It was evident that the degradation behavior of electric parameters such as Idlin, Idsat, Gm and Vt fitted well with this model. Devices were prepared with 0.35μm technology and different LDD processes. Idlin and Idsat after HCI stress were analyzed with the improved model. The effects of interface trap generation and oxide charge injection on device degradation were extracted, and the charge injection site could be obtained by this method. The work provides important information to device designers and process engineers.