发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响

波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率.     

（英）分子束外延生长InAsSb材料的组分控制

采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子, Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.     

数字电子技术在网络中的应用研究

随着信息科学技术的不断发展,网络给数字电子技术创造了良好的发展平台。可以说,数字电子技术已渗透现代人的方方面面。本文立足于数字技术发展的实际情况,从数字电子技术的优点、人们的生活工作等方面,阐述了数字电子技术在网络应用中的必要性。进而针对网络的特点,论述了网络的优势。最后,系统地阐述了数字电子技术在网络中的应用,表明网络已然成为数字电子技术应用的一个前景,是现代人生活工作不可或缺的部分。     

新型食品添加剂谷氨酸钙

谷氨酸钙是新型的食品添加剂,安全性高,价格相对低廉,来源充足,可以代替食盐,改善食物口味,增加钙质补充.添加谷氨酸钙可以使汤中的含盐量从150 mM(1.03%)降低至50～85 mM(0.34%～0.58%),香肠中含钠量从0.69%降低到0.12%,口味和味道没有下降或者还有提高,在生产低盐食物上很有潜力.     

提高单结晶体管触发电路灵敏度的一种方法

经典的单结晶体管（ＵＪＴ）触发电路如图１所示，其中，交流电压７５Ｖ经整流、稳压削波后，既作为ＵＪＴ的同步电压，又作为放大回路的电源。图１经典的ＵＪＴ触发电路晶体管Ｔ１和Ｔ２组成两级直接耦合放大电路，对由给定电压和反馈电压叠加而成的控制信号电压Ｖ（Ｋ）...     

IMC-PID控制器在炼油厂减压蒸馏装置的应用研究

采用闭环系统辨识算法与鲁棒IMC-PID控制器结合设计新的软件包,将该软件包用于炼油厂减压蒸馏装置的操作控制,生产运行表明：该软件包在炼油厂减压蒸馏装置中的应用降低了减压炉出口温度的波动幅度,提高了产品质量及收率,降低了生产每吨成品油的能耗,给炼油企业带来了可观的经济效益。     

二滩电厂发电机转子一点接地保护原理探讨及改进措施

详细论述了二滩电厂发电机转子一点接地保护装置工作原理,剖析其死区存在之机理和灵敏度不对称而导致的严重后果,并提出了改进措施和进一步的研究设想.     

掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子的耦合模

在T＝77K,测量出掺杂（Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223cm^-1和422cm^-1的两个光散射峰。理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的。这事模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致。     

256×1甚长波量子阱红外焦平面研究

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器由于其所依据的GaAs基材料较为成熟的材料生长和器件制备工艺,使其特别适合于高均匀性、大面积红外焦平面的应用。报道了甚长波256×1元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件的研制成果, 探测器的峰值波长为15 μm,响应带宽大于1.5 μm。在40 K工作温度下,器件的平均黑体响应率Rp=3.96×106 V/W, 平均黑体探测率为D*=1.37×109 cm·Hz1/2/W, 不均匀性为11.3%, 并应用研制的器件获得了物体的热像图。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.